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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Origin and Enhancement of Hole-Induced Ferromagnetism in First-Row d(0) Semiconductors 期刊论文 physical review letters, 2009, 卷号: 102, 期号: 1, 页码: art. no. 017201 作者:  Li JB 收藏  |  浏览/下载：393/60  |  提交时间：2010/03/08 COLLECTIVE ELECTRON FERROMAGNETISM  ENERGY  MODEL   Study of optical properties in GaAs1-xSbx/GaAs single quantum wells 期刊论文 acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 7, 页码: 1761-1765 Luo XD; Bian LF; Xu ZY; Luo HL; Wang YQ; Wang JN; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：90/0  |  提交时间：2010/08/12 GaAsSb/GaAs  selectively-excited  type II transition  ROOM-TEMPERATURE  GAAS  DOTS  OPERATION   High-performance 980-nm quantum-well lasers using a hybrid material system of an Al-free InGaAs-InGaAsP active region and AlGaAs cladding layers grown by metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文 ieee journal of quantum electronics, 1999, 卷号: 35, 期号: 10, 页码: 1535-1541 Yang GW; Hwu RJ; Xu ZT; Ma XY 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum-well lasers  semiconductor diodes  semiconductor epitaxial layers  semiconductor lasers  semiconductor materials  NM DIODE-LASERS  WAVE-GUIDE  AMPLIFIER  FRONT-FACET POWER   Growth and fabrication of high performance 980nm strained InGaAs quantum well lasers using novel hybrid material system of InGaAsP and AlGaAs 会议论文 semiconductor lasers iii, beijing, peoples r china, sep 16-18, 1998 Yang GW; Xu ZT; Xu JY; Ma XY; Zhang JM; Chen LH 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/10/29 strained quantum well  semiconductor lasers   Buried heterostructure InGaAsP/InP strain-compensated multiple quantum well laser with a native-oxidized InAlAs current blocking layer 期刊论文 applied physics letters, 1998, 卷号: 73, 期号: 26, 页码: 3803-3805 Wang ZJ; Chua SJ; Zhou F; Wang W; Wu RH 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12 SURFACE-EMITTING LASERS  ULTRALOW THRESHOLD  OXIDE  INP  DIODES  OXIDATION   Fermi-edge singularity observed in a modulation-doped AlGaN/GaN heterostructure 期刊论文 applied physics letters, 1998, 卷号: 73, 期号: 17, 页码: 2471-2472 Zhang JP; Sun DZ; Wang XL; Kong MY; Zeng YP; Li JM; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/08/12 FIELD-EFFECT TRANSISTORS  LUMINESCENCE SPECTRA  ABSORPTION  CHARGE