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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Origin of insulating behavior of the p-type LaAlO3/SrTiO3 interface: Polarization-induced asymmetric distribution of oxygen vacancies 期刊论文 physical review b, 2010, 卷号: 82, 期号: 12, 页码: art. no. 125412 Zhang LX (Zhang Lixin); Zhou XF (Zhou Xiang-Feng); Wang HT (Wang Hui-Tian); Xu JJ (Xu Jing-Jun); Li JB (Li Jingbo); Wang EG (Wang E. G.); Wei SH (Wei Su-Huai) 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/10/11 INITIO MOLECULAR-DYNAMICS  ELECTRON GASES  HETEROSTRUCTURES  TRANSITION   Residual donors and compensation in metalorganic chemical vapor deposition as-grown n-GaN 期刊论文 journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 12, 页码: 6130-6134 Xu XL; Liu HT; Shi CS; Zhao YW; Fung S; Beling CD 收藏  |  浏览/下载：127/15  |  提交时间：2010/08/12 LIGHT-EMITTING DIODES  GALLIUM NITRIDE  YELLOW LUMINESCENCE  ELECTRON  PHOTOLUMINESCENCE  EPILAYERS  VACANCIES  INTERFACE  MECHANISM  ENERGY   1.5 mu m luminescence characteristic of erbium in B, P doped a-SiO : H films 期刊论文 chinese physics, 2000, 卷号: 9, 期号: 10, 页码: 783-786 Liang JJ; Chen WD; Wang YQ; Chang Y; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/08/12 erbium  photoluminescence  a-SiO : H  boron and phosphorus co-doping  CRYSTALLINE SI  SILICON  ELECTROLUMINESCENCE  ER