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半导体研究所 [24]
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学科主题
半导体物理 [24]
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学科主题:半导体物理
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Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane InN films grown on gamma-LiAlO2(100) by metal organic chemical vapour deposition
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: article no.245402
Fu D
;
Zhang R
;
Liu B
;
Xie ZL
;
Xiu XQ
;
Gu SL
;
Lu H
;
Zheng YD
;
Chen YH
;
Wang ZG
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浏览/下载:35/2
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提交时间:2011/07/05
FUNDAMENTAL-BAND GAP
INDIUM NITRIDE
BUFFER LAYER
DEPENDENCE
SAPPHIRE
MOCVD
Band crossing in isovalent semiconductor alloys with large size mismatch: First-principles calculations of the electronic structure of Bi and N incorporated GaAs
期刊论文
physical review b, 2010, 卷号: 82, 期号: 19, 页码: art. no. 193204
Deng HX (Deng Hui-Xiong)
;
Li JB (Li Jingbo)
;
Li SS (Li Shu-Shen)
;
Peng HW (Peng Haowei)
;
Xia JB (Xia Jian-Bai)
;
Wang LW (Wang Lin-Wang)
;
Wei SH (Wei Su-Huai)
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2010/12/27
IMPURITIES
GAAS1-XNX
NITROGEN
GAINNAS
STATES
TRAPS
Electronic structure and exciton states in the freestanding ZnO nanorods
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 9, 页码: art. no. 094327
Xiong W
;
Li SS
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2010/03/08
QUANTUM WIRES
The electronic structure of strained ZnO/MgxZn1-xO superlattices and the influence of polarization
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2009, 卷号: 41, 期号: 3, 页码: 506-512
Xiong W
;
Li SS
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浏览/下载:167/41
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提交时间:2010/03/08
ZnO
ZnO/MgxZn1-xO superlattice
Electronic structure
Polarization
Structural and electrical properties of (110) ZnO epitaxial thin films on (001) SrTiO3 substrates
期刊论文
solid state communications, 2008, 卷号: 148, 期号: 39939, 页码: 247-250
Wu, YL
;
Zhang, LW
;
Xie, GL
;
Ni, J
;
Chen, YH
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2010/03/08
ZnO thin films
Pulsed laser deposition
Electrical resistance
Stress analysis of ZnO film with a GaN buffer layer on sapphire substrate
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 6, 页码: 2277-2280
Cui, JP
;
Wang, XF
;
Duan, Y
;
He, JX
;
Zeng, YP
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浏览/下载:61/0
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提交时间:2010/03/08
THIN-FILMS
BULK ZNO
SCATTERING
PRESSURE
1.3 mu m InAs/GaAs self-assembled quantum dots grown on In0.2Ga0.8As-GaAs combined strain-buffer layer
期刊论文
journal of infrared and millimeter waves, 2005, 卷号: 24, 期号: 5, 页码: 324-327
Fang ZD
;
Gong Z
;
Miao ZH
;
Niu ZC
;
Shen GD
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浏览/下载:148/11
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提交时间:2010/03/17
InAs/GaAs quantum dots
Realization of low threshold of InGaAs/InAlAs quantum cascade laser
期刊论文
chinese physics letters, 2003, 卷号: 20, 期号: 9, 页码: 1478-1481
作者:
Li CM
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浏览/下载:68/0
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提交时间:2010/08/12
Electron transport properties of MM-HEMT with varied channel indium contents
期刊论文
acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 11, 页码: 2879-2882
Qiu ZJ
;
Jiang CP
;
Gui YS
;
Shu XZ
;
Guo SL
;
Chu JH
;
Cui LJ
;
Zeng YP
;
Zhu ZP
;
Wang BQ
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浏览/下载:252/35
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提交时间:2010/08/12
MM-HEMT
Shubnikov-de Hass oscillation
MOBILITY TRANSISTORS
ALLOY SCATTERING
HIGH-PERFORMANCE
GAAS
Stress and its effect on optical properties of GaN epilayers grown on Si(111), 6H-SiC(0001), and c-plane sapphire
期刊论文
applied physics letters, 2003, 卷号: 83, 期号: 4, 页码: 677-679
作者:
Zhao DG
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浏览/下载:1038/2
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提交时间:2010/08/12
VAPOR-PHASE EPITAXY
PHONON DEFORMATION POTENTIALS
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
RAMAN-SCATTERING
ALPHA-GAN
ALN
LAYERS
STRAIN
WURTZITE
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