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科研机构
半导体研究所 [13]
内容类型
期刊论文 [10]
会议论文 [3]
发表日期
2001 [1]
2000 [7]
1999 [3]
1998 [2]
学科主题
半导体物理 [13]
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学科主题:半导体物理
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Hydrostatic pressure effect on photoluminescence from a GaN0.015As0.985/GaAs quantum well
期刊论文
applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 23, 页码: 3595-3597
Tsang MS
;
Wang JN
;
Ge WK
;
Li GH
;
Fang ZL
;
Chen Y
;
Han HX
;
Li LH
;
Pan Z
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浏览/下载:98/11
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提交时间:2010/08/12
GAINNAS ALLOYS
BAND-STRUCTURE
GAAS
NITROGEN
GAN(X)AS1-X
IMPURITIES
BEHAVIOR
MASS
Photoluminescence of Eu2+ doped ZnS nanocrystals
期刊论文
chinese physics letters, 2000, 卷号: 17, 期号: 8, 页码: 609-611
作者:
Liu SM
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2010/08/12
II-VI COMPOUNDS
LUMINESCENCE
CENTERS
EXCITON
Exciton states and optical spectra in CdSe nanocrystallite quantum dots
期刊论文
physical review b, 2000, 卷号: 61, 期号: 23, 页码: 15880-15886
作者:
Li JB
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2010/08/12
ELECTRONIC-STRUCTURE
SEMICONDUCTOR CLUSTERS
SIZE DEPENDENCE
ENERGY-LEVELS
CRYSTALLITES
ASSIGNMENT
WURTZITE
SPHERES
BANDS
DARK
Experimental determination of local Strain effect on InAs/GaAs self-organized quantum dots
期刊论文
physical review b, 2000, 卷号: 61, 期号: 8, 页码: 5530-5534
Wang HL
;
Yang FH
;
Feng SL
;
Zhu HJ
;
Ning D
;
Wang H
;
Wang XD
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浏览/下载:49/0
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提交时间:2010/08/12
ELECTRONIC-STRUCTURE
CARRIER RELAXATION
ENERGY-LEVELS
SPECTROSCOPY
Proof of InAs/GaAs self-organized quantum dot lasing and the experimental determination of local Strain effect on the band structures
期刊论文
compound semiconductors 1999, 2000, 期号: 166, 页码: 251-256
Wang H
;
Wang HL
;
Feng SL
;
Zhu HJ
;
Wang XD
;
Guo ZS
;
Ning D
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2010/08/12
ELECTRONIC-STRUCTURE
CARRIER RELAXATION
ENERGY-LEVELS
SPECTROSCOPY
Proof of InAs/GaAs self-organized quantum dot lasing and the experimental determination of local Strain effect on the band structures
会议论文
26th international symposium on compound semiconducors, berlin, germany, aug 22-26, 1999
Wang H
;
Wang HL
;
Feng SL
;
Zhu HJ
;
Wang XD
;
Guo ZS
;
Ning D
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2010/11/15
ELECTRONIC-STRUCTURE
CARRIER RELAXATION
ENERGY-LEVELS
SPECTROSCOPY
Electronic characteristics of InAs self-assembled quantum dots
会议论文
9th international conference on modulated semiconductor structures (mss9), fukuoka, japan, jul 12-16, 1999
Wang HL
;
Feng SL
;
Zhu HJ
;
Ning D
;
Chen F
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/15
InAs/GaAs quantum dots
self-assembled structure
DLTS
PL
band offset
ENERGY-LEVELS
CARRIER RELAXATION
SPECTROSCOPY
Electronic characteristics of InAs self-assembled quantum dots
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2000, 卷号: 7, 期号: 3-4, 页码: 383-387
Wang HL
;
Feng SL
;
Zhu HJ
;
Ning D
;
Chen F
收藏
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2010/08/12
InAs/GaAs quantum dots
self-assembled structure
DLTS
PL
band offset
ENERGY-LEVELS
CARRIER RELAXATION
SPECTROSCOPY
Fe-57 Mossbauer spectroscopic and magnetic studies of R3Fe29-xVx (R = Y, Ce, Nd, Sm, Gd, Tb, and Dy)
会议论文
11th international conference on hyperfine interactions, durban, south africa, aug 23-28, 1998
Nagamine LCCM
;
Baggio-Saitovitch E
;
Azevedo IS
;
Han XF
;
Lin LY
;
Rechenberg R
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/11/15
NITRIDE
CR
Observation of field-driven blue shift in delta-doped Si n-i-p-i multiple quantum wells
期刊论文
solid state communications, 1999, 卷号: 111, 期号: 11, 页码: 641-645
Cheng W
;
Xia JB
;
Jeong MS
;
Huang XL
;
Kim JY
;
Ihm SH
;
Suh EK
;
Lee HJ
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浏览/下载:134/0
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提交时间:2010/08/12
semiconductors
quantum wells
photoconductivity and photovoltaics
BAND-GAP
STARK SHIFT
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