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科研机构
半导体研究所 [15]
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期刊论文 [13]
会议论文 [2]
发表日期
2011 [1]
2009 [2]
2008 [1]
2002 [2]
2001 [2]
2000 [1]
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学科主题
半导体物理 [15]
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共15条,第1-10条
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学科主题:半导体物理
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Raman study of ultrathin Fe(3)O(4) films on GaAs(001) substrate: stoichiometry, epitaxial orientation and strain
期刊论文
journal of raman spectroscopy, 2011, 卷号: 42, 期号: 6, 页码: 1388-1391
Zhang, J
;
Tan, PH
;
Zhao, WJ
;
Lu, J
;
Zhao, JH
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2012/01/06
Raman spectroscopy
ultrathin Fe(3)O(4) film
crystal orientation
strain
phonon strain-shift coefficient
PULSED-LASER DEPOSITION
THIN-FILMS
SPIN-TRANSPORT
MAGNETITE
SEMICONDUCTORS
SPINTRONICS
SCATTERING
CORROSION
DEVICES
GROWTH
Spin states in InAs/AlSb/GaSb semiconductor quantum wells
期刊论文
physical review b, 2009, 卷号: 80, 期号: 3, 页码: art. no. 035303
作者:
Li J
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浏览/下载:154/2
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提交时间:2010/03/08
ELECTRON-HOLE SYSTEM
BAND-STRUCTURE
COMPOUND SEMICONDUCTORS
RELAXATION ANISOTROPY
GAP HETEROSTRUCTURES
OPTICAL-TRANSITIONS
GROUND-STATE
SUPERLATTICES
FIELD
HYBRIDIZATION
Nonpolar growth and characterization of InN overlayers on vertically oriented GaN nanorods
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 2, 页码: art. no. 026102
作者:
Jiang DS
;
Zhang SM
;
Yang H
;
Yang H
;
Wang YT
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浏览/下载:58/0
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提交时间:2010/03/08
LIGHT-EMITTING-DIODES
FUNDAMENTAL-BAND GAP
NANOWIRES
HETEROSTRUCTURES
NANOSTRUCTURES
MOCVD
POLAR
Doped polycrystalline 3C-SiC films deposited by LPCVD for radio-frequency MEMS applications
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 6, 页码: 2269-2272
Zhao, YM
;
Sun, GS
;
Ning, J
;
Liu, XF
;
Zhao, WS
;
Wang, L
;
Li, JM
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2010/03/08
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
Origin of the vertical-anticorrelation arrays of InAs/InAlAs nanowires with a fixed layer-ordering orientation
期刊论文
journal of applied physics, 2002, 卷号: 91, 期号: 9, 页码: 6021-6026
Sun ZZ
;
Yoon SF
;
Wu J
;
Wang ZG
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浏览/下载:81/9
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
MORPHOLOGY
MODULATIONS
SURFACES
INP(001)
GROWTH
ALLOY
INP
Symmetry in the diagonal self-assembled InAs quantum wire arrays on InP substrate
期刊论文
international journal of modern physics b, 2002, 卷号: 16, 期号: 28-29, 页码: 4423-4426
Wu J
;
Zeng YP
;
Cui LJ
;
Zhu ZP
;
Wang BX
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:84/0
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提交时间:2010/08/12
INP(001)
EPITAXY
GAAS
Modification of emission wavelength of self-assembled In(Ga)As/GaAs quantum dots covered by InxGa1-xAs(0 <= x <= 0.3) layer
会议论文
11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000
Niu ZC
;
Wang XD
;
Miao ZH
;
Feng SL
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/15
crystal morphology
quantum dots
molecular beam epitaxy
semiconducting gallium arsenide
semiconducting indium gallium arsenide
1.35 MU-M
GAAS-SURFACES
PHOTOLUMINESCENCE
ISLANDS
Substrate dependence of InGaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of vacuum science & technology b, 2001, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: 197-201
作者:
Xu B
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浏览/下载:98/6
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提交时间:2010/08/12
ORIENTED GAAS
INAS ISLANDS
HIGH-INDEX
SURFACES
TEMPERATURE
TOPOGRAPHY
STRAIN
LASER
Influence of substrate orientation on In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
physica e, 2000, 卷号: 8, 期号: 2, 页码: 134-140
作者:
Ye XL
;
Xu B
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2010/08/12
quantum dots
high index
molecular beam epitaxy
photoluminescence
SURFACE SEGREGATION
ORIENTED GAAS
INGAAS
ISLANDS
WELLS
DISKS
Lateral ordered InGaAs self-organized quantum dots grown on (311) GaAs by conventional molecular beam epitaxy
期刊论文
chinese physics letters, 1999, 卷号: 16, 期号: 1, 页码: 68-70
作者:
Xu B
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2010/08/12
ALIGNMENT
SURFACES
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