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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2006 [2]
2001 [1]
学科主题
半导体物理 [3]
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学科主题:半导体物理
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Dependence of intrinsic defects in ZnO films on oxygen fraction studied by positron annihilation
期刊论文
chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 489-492
Peng CX
;
Weng HM
;
Yang XJ
;
Ye BJ
;
Cheng B
;
Zhou XY
;
Han RD
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提交时间:2010/04/11
P-TYPE ZNO
THIN-FILMS
ROOM-TEMPERATURE
PHOTOLUMINESCENCE
DEPOSITION
SUBSTRATE
VACANCIES
LAYER
BEAM
GAN
Shrinkage of nanocavities in silicon during electron beam irradiation
期刊论文
journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 3, 页码: art.no.034304
Zhu XF (Zhu Xianfang)
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浏览/下载:70/0
  |  
提交时间:2010/04/11
PREFERENTIAL AMORPHIZATION
ION IRRADIATION
AMORPHOUS SI
IN-SITU
VOIDS
Residual donors and compensation in metalorganic chemical vapor deposition as-grown n-GaN
期刊论文
journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 12, 页码: 6130-6134
Xu XL
;
Liu HT
;
Shi CS
;
Zhao YW
;
Fung S
;
Beling CD
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提交时间:2010/08/12
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ELECTRON
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