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半导体研究所 [37]
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半导体物理 [37]
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学科主题:半导体物理
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GaAs-Based Metamorphic Long-Wavelength InAs Quantum Dots Grown by Molecular Beam Epitaxy
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: art. no. 067801
作者:
Xu YQ
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2010/03/08
MU-M
LASER
ISLANDS
Size distributions of quantum islands on stepped substrates
期刊论文
journal of chemical physics, 2009, 卷号: 131, 期号: 15, 页码: art.no.154704
Liang S (Liang, S.)
;
Zhu HL (Zhu, H. L.)
;
Wang W (Wang, W.)
收藏
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浏览/下载:305/92
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提交时间:2010/03/08
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
Anomalous coarsening of self-assembled InAs quantum dots on vicinal GaAs (100) substrates
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 5, 页码: art. no. 055310
作者:
Ye XL
;
Pan JQ
;
Liang S
收藏
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浏览/下载:128/30
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提交时间:2010/03/08
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MULTIATOMIC STEPS
ISLANDS
GROWTH
FABRICATION
EPITAXY
Spectroscopy of long wavelength coupled quantum dots
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 17, 页码: art. no. 175102
Xiong, YH
;
Huang, SS
;
Ni, HQ
;
Dou, XM
;
Niu, ZC
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浏览/下载:89/1
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提交时间:2010/03/08
ELECTRON-SPIN
EMISSION
ISLANDS
GROWTH
STATES
Optical study of lateral carrier transfer in (In,Ga)As/GaAs quantum-dot chains
期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 1, 页码: art. no. 011107
Wang, BR
;
Sun, BQ
;
Ji, Y
;
Dou, XM
;
Xu, ZY
;
Wang, ZM
;
Salamo, GJ
收藏
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浏览/下载:104/2
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提交时间:2010/03/08
LOCALIZED STATES
ISLANDS
WIRES
SUPERLATTICES
ORGANIZATION
GAAS(100)
EXCITONS
GROWTH
DECAY
GAAS
Surface morphology evolution of strained InAs/GaAs(331)a films
会议论文
2nd asian conference on nanoscience and nanotechnology, beijing, peoples r china, nov 24-27, 2004
Gong, M (Gong, Meng)
;
Fang, ZD (Fang, Zhidan)
;
Miao, ZH (Miao, Zhenhua)
;
Niu, ZC (Niu, Zhichuan)
收藏
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浏览/下载:118/36
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提交时间:2010/03/29
surface morphology evolution
InAs nanostructures
island-pit pairs
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
QUANTUM DOTS
COOPERATIVE NUCLEATION
HETEROEPITAXY
TRANSITION
ISLANDS
GROWTH
Optical characteristics of InAs quantum dots on GaAs matrix by using various InGaAs structures
期刊论文
journal of wuhan university of technology-materials science edition, 2006, 卷号: 21, 期号: 2, 页码: 76-79
Kong LM (Kong Lingmin)
;
Cai JF (Cai Jiafa)
;
Wu ZY (Wu Zhengyun)
;
Gong Z (Gong Zheng)
;
Fang ZD (Fang Zhidan)
;
Niu ZC (Niu Zhichuan)
收藏
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2010/04/11
InGaAs layer
InAs quantum dots
time-resolved PL spectra
1.3 MU-M
CARRIER DYNAMICS
LASERS
GROWTH
WAVELENGTH
EMISSION
ISLANDS
LAYERS
SIZE
Dependence of bimodal size distribution on temperature and optical properties of InAs quantum dots grown on vicinal GaAs (1-00) substrates by using MOCVD
期刊论文
chinese physics, 2006, 卷号: 15, 期号: 5, 页码: 1114-1119
作者:
Liang S
;
Pan JQ
收藏
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浏览/下载:49/0
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提交时间:2010/04/11
self-assembled quantum dots
indium arsenide
bimodal size distribution
MOCVD
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MU-M
ISLANDS
DENSITY
EPITAXY
LASER
Structural and optical properties of InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.5 mu m
期刊论文
journal of crystal growth, 2005, 卷号: 274, 期号: 1-2, 页码: 78-84
Gong Z
;
Fang ZD
;
Miao ZH
;
Niu ZC
;
Feng SL
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2010/03/17
1.5 mu m light
Surface morphology control of strained InAs/GaAs(331)A films: From nanowires to island-pit pairs
期刊论文
applied physics letters, 2005, 卷号: 86, 期号: 1, 页码: art.no.013104
Gong Z
;
Niu ZC
;
Fang ZD
;
Miao ZH
;
Feng SL
收藏
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浏览/下载:61/0
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提交时间:2010/03/17
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
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