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科研机构
半导体研究所 [19]
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期刊论文 [19]
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2008 [4]
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学科主题
半导体物理 [19]
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学科主题:半导体物理
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Effect of impurity ions configurations on the magnetic properties of Mn-doped ZnO
期刊论文
physica b-condensed matter, 2012, 卷号: 407, 期号: 5, 页码: 883-887
Gao, HX
;
Xia, JB
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2013/03/17
Electron spin dynamics in heavily Mn-doped (Ga,Mn)As
期刊论文
applied physics letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 26, 页码: article no.262109
作者:
Chen L
;
Zhang XH
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浏览/下载:63/6
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提交时间:2011/07/05
SEMICONDUCTORS
TEMPERATURE
GAAS
Enhancement of conductivity and transmittance of ZnO films by post hydrogen plasma treatment
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 8, 页码: art. no. 083713
作者:
Zhang XW
;
You JB
;
Yin ZG
收藏
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浏览/下载:71/1
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提交时间:2010/03/08
annealing
carrier density
carrier mobility
diffusion
electrical conductivity
electrical resistivity
hydrogen
II-VI semiconductors
impurity states
interstitials
light transmission
plasma materials processing
semiconductor thin films
sputter deposition
vacancies (crystal)
visible spectra
wide band gap semiconductors
zinc compounds
Linear Rashba Model of a Hydrogenic Donor Impurity in GaAs/GaAlAs Quantum Wells
期刊论文
nanoscale research letters, 2009, 卷号: 4, 期号: 2, 页码: 178-180
Li SS
;
Xia JB
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浏览/下载:213/37
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提交时间:2010/03/08
ENERGY-SPECTRA
STATES
Role of edge dislocation and Si impurity in linking the blue luminescence and yellow luminescence in n-type GaN films
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 4, 页码: art. no. 041901
作者:
Yang H
;
Wang H
;
Wang H
;
Wang YT
;
Yang H
收藏
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浏览/下载:64/1
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提交时间:2010/03/08
edge dislocations
gallium compounds
III-V semiconductors
impurities
photoluminescence
semiconductor doping
semiconductor thin films
silicon
wide band gap semiconductors
X-ray diffraction
Enhanced electroluminescence intensity of InGaN/GaN multi-quantum-wells based on Mg-doped GaN annealed in O-2
期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 10, 页码: art. no. 102112
Ma, P
;
Gai, YQ
;
Wang, JX
;
Yang, FH
;
Zeng, YP
;
Li, JM
;
Li, JB
收藏
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2010/03/08
P-TYPE GAN
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
AUGMENTED-WAVE METHOD
VAPOR-PHASE EPITAXY
ELECTRICAL-PROPERTIES
OXYGEN
ACTIVATION
SILICON
First-principles study of transition metal impurities in Si
期刊论文
physical review b, 2008, 卷号: 77, 期号: 15, 页码: art. no. 155201
Zhang ZZ
;
Partoens B
;
Chang K
;
Peeters FM
收藏
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浏览/下载:61/7
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提交时间:2010/03/08
SILICON
Intrinsic spin hall effect induced by quantum phase transition in HgCdTe quantum wells
期刊论文
physical review letters, 2008, 卷号: 100, 期号: 5, 页码: art. no. 056602
Yang W
;
Chang K
;
Zhang SC
收藏
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浏览/下载:43/1
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提交时间:2010/03/08
HETEROSTRUCTURES
Spin-orbit splitting of a hydrogenic donor impurity in GaAs/GaAlAs quantum wells
期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 92, 期号: 2, 页码: art. no. 022102
Li, SS
;
Xia, JB
收藏
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浏览/下载:51/1
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提交时间:2010/03/08
ENERGY-SPECTRA
STATES
Spin-polarized transport in a lateral two-dimensional diluted magnetic semiconductor electron gas
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 8, 页码: art.no.082107
Yang W
;
Chang K
;
Wu XG
;
Zheng HZ
收藏
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浏览/下载:365/11
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提交时间:2010/04/11
QUANTUM-WELLS
INJECTION
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