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科研机构
半导体研究所 [12]
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期刊论文 [9]
会议论文 [3]
发表日期
2008 [2]
2005 [1]
2000 [2]
1999 [3]
1998 [1]
1997 [2]
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学科主题
半导体物理 [12]
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学科主题:半导体物理
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High-density and narrow size-distribution InAs quantum dots formed by a modified two-step growth
期刊论文
chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 1, 页码: 323-327
She-Song, H
;
Zhi-Chuan, N
;
Feng, Z
;
Hai-Qiao, N
;
Huan, Z
;
Dong-Hai, W
;
Zheng, S
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浏览/下载:42/3
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提交时间:2010/03/08
molecular beam epitaxy
quantum dots
a modified two-step growth
Photoluminescence and lasing properties of InAs/GaAs quantum dots grown by metal-organic chemical vapour deposition
期刊论文
chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 11, 页码: 4300-4304
作者:
Liang S
;
Pan JQ
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浏览/下载:57/0
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提交时间:2010/03/08
metal-organic chemical vapour deposition
Structural and optical properties of InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.5 mu m
期刊论文
journal of crystal growth, 2005, 卷号: 274, 期号: 1-2, 页码: 78-84
Gong Z
;
Fang ZD
;
Miao ZH
;
Niu ZC
;
Feng SL
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2010/03/17
1.5 mu m light
Methods to tune the electronic states of self-organized InAs/GaAs quantum dots
会议论文
5th international conference on the electrical transport and optical properties of inhomogeneous media (etopim5), hong kong, hong kong, jun 21-25, 1999
作者:
Wang H
;
Jiang DS
;
Wang H
;
Niu ZC
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/11/15
quantum dot
growth interruption
quantum dot laser
Methods to tune the electronic states of self-organized InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
physica b-condensed matter, 2000, 卷号: 279, 期号: 1-3, 页码: 217-219
作者:
Niu ZC
;
Wang H
;
Jiang DS
;
Wang H
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2010/08/12
quantum dot
growth interruption
quantum dot laser
Effect of growth interruption on the optical properties of InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
solid state communications, 1999, 卷号: 109, 期号: 10, 页码: 649-653
Lu ZD
;
Xu JZ
;
Zheng BZ
;
Xu ZY
;
Ge WK
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浏览/下载:57/0
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提交时间:2010/08/12
semiconductors
optical properties
luminescence
CONFIGURATION
LUMINESCENCE
WELLS
TIME
New way to enhance the uniformity of self-organized InAs quantum dots
会议论文
25th international symposium on compound semiconductors, nara, japan, oct 12-16, 1998
Zhu HJ
;
Wang H
;
Wang ZM
;
Cui LQ
;
Feng SL
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/15
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
THRESHOLD
GROWTH
LASER
New way to enhance the uniformity of self-organized InAs quantum dots
期刊论文
compound semiconductors 1998, 1999, 期号: 162, 页码: 433-437
Zhu HJ
;
Wang H
;
Wang ZM
;
Cui LQ
;
Feng SL
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浏览/下载:49/0
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
THRESHOLD
GROWTH
LASER
Intrawell and interwell transfer of excitons in growth-interrupted quantum wells
期刊论文
superlattices and microstructures, 1998, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 163-167
Luo CP
;
Chin MK
;
Yuan ZL
;
Xu ZY
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2010/08/12
photoluminescence
growth interruption
excitons
relaxation
GaAs/AlGaAs
RELAXATION
Material transport in self-assembled InAs/GaAs quantum dot ensemble
会议论文
10th international conference on superlattices, microstructures and microdevices, lincoln, nebraska, jul 08-11, 1997
作者:
Han PD
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/15
GROWTH
TRANSITION
GAAS
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