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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Enhancement of conductivity and transmittance of ZnO films by post hydrogen plasma treatment 期刊论文 journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 8, 页码: art. no. 083713 作者:  Zhang XW;  You JB;  Yin ZG 收藏  |  浏览/下载：70/1  |  提交时间：2010/03/08 annealing  carrier density  carrier mobility  diffusion  electrical conductivity  electrical resistivity  hydrogen  II-VI semiconductors  impurity states  interstitials  light transmission  plasma materials processing  semiconductor thin films  sputter deposition  vacancies (crystal)  visible spectra  wide band gap semiconductors  zinc compounds   Interplay between partial incoherence, partial inelasticity, resonance, and heterogeneity in long-range electron transfer and transport 期刊论文 journal of chemical physics, 2002, 卷号: 117, 期号: 5, 页码: 2180-2186 Yu XY; Zhang HY; Han P; Li XQ; Yan YJ 收藏  |  浏览/下载：65/0  |  提交时间：2010/08/12 BRIDGED MOLECULAR-SYSTEMS  CHARGE-TRANSFER  TRANSFER RATES  BIOLOGICAL MOLECULES  HOLE MIGRATION  DNA  MECHANISM  COHERENT  SUPEREXCHANGE  SCATTERERS   Residual donors and compensation in metalorganic chemical vapor deposition as-grown n-GaN 期刊论文 journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 12, 页码: 6130-6134 Xu XL; Liu HT; Shi CS; Zhao YW; Fung S; Beling CD 收藏  |  浏览/下载：126/15  |  提交时间：2010/08/12 LIGHT-EMITTING DIODES  GALLIUM NITRIDE  YELLOW LUMINESCENCE  ELECTRON  PHOTOLUMINESCENCE  EPILAYERS  VACANCIES  INTERFACE  MECHANISM  ENERGY   Photoluminescence of rapid-thermal annealed Mg-doped GaN films 期刊论文 solid-state electronics, 2001, 卷号: 45, 期号: 7, 页码: 1153-1157 Wang LS; Fong WK; Surya C; Cheah KW; Zheng WH; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：73/5  |  提交时间：2010/08/12 p-type GaN  metalorganic chemical vapor deposition  photoluminescence  X-ray diffraction  rapid-thermal annealing  P-TYPE GAN  RECOMBINATION  EMISSION  ENERGY  BANDS