QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Magnetic coupling properties of Mn-doped AlN nanowires: First-principles calculations 期刊论文 physics letters a, 2011, 卷号: 375, 期号: 15, 页码: 1686-1689 Zhang YJ; Shi HL; Li RW; Zhang P 收藏  |  浏览/下载：43/7  |  提交时间：2011/07/05 Nanowire  Magnetic semiconductor  Level splitting  SEMICONDUCTORS  FERROMAGNETISM  SUPERLATTICES  MODEL  GAN   The formation and electronic structures of 3d transition-metal atoms doped in silicon nanowires 期刊论文 journal of applied physics, 2008, 卷号: 104, 期号: 8, 页码: art. no. 084307 Xu, Q; Li, JB; Li, SS; Xia, JB 收藏  |  浏览/下载：75/1  |  提交时间：2010/03/08 EXCHANGE INTERACTION  SEMICONDUCTORS  GAAS  ENERGIES  DOTS  MN   Photoemission study of chemisorption and Fermi-level pinning at K/GaAs(100) interface with synchrotron radiation 期刊论文 applied surface science, 2005, 卷号: 249, 期号: 1-4, 页码: 340-345 Sun, MH; Zhao, TX; Jia, CY; Xu, PS; Lu, ED; Hsu, CC; Ji, H 收藏  |  浏览/下载：36/7  |  提交时间：2010/03/17 X-ray photoelectron spectroscopy   Hydrogen-decorated lattice defects in proton implanted GaN 期刊论文 applied physics letters, 1998, 卷号: 72, 期号: 14, 页码: 1703-1705 Weinstein MG; Song CY; Stavola M; Pearton SJ; Wilson RG; Shul RJ; Killeen KP; Ludowise MJ 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/08/12 AS-H BONDS  COMPLEXES  INP  GAAS