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科研机构
半导体研究所 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2002 [1]
2000 [1]
学科主题
半导体物理 [2]
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学科主题:半导体物理
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Mechanisms of the sidewall facet evolution in lateral epitaxial overgrowth of GaN by MOCVD
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2002, 卷号: 35, 期号: 21, 页码: 2731-2734
作者:
Zhao DG
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提交时间:2010/08/12
VAPOR-PHASE EPITAXY
DEPOSITION
LAYERS
FILMS
Anisotropic radiation pattern from InGaAlP quantum well mesa-like microdisks
期刊论文
solid state communications, 2000, 卷号: 116, 期号: 4, 页码: 201-206
Zhang B
;
Fang W
;
Wang DJ
;
Luan F
;
Xu SF
;
Qian Y
;
Zhu X
;
Ma XY
收藏
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提交时间:2010/08/12
quantum wells
nanofabrications
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