QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Nitrogen defects and ferromagnetism in Cr-doped dilute magnetic semiconductor AlN from first principles 期刊论文 physical review b, 2008, 卷号: 78, 期号: 19, 页码: art. no. 195206 Shi LJ; Zhu LF; Zhao YH; Liu BG 收藏  |  浏览/下载：217/56  |  提交时间：2010/03/08 ab initio calculations  aluminium compounds  annealing  band structure  chromium  Curie temperature  density functional theory  exchange interactions (electron)  ferromagnetic materials  III-V semiconductors  semimagnetic semiconductors  total energy  vacancies (crystal)   Variational calculations of neutral bound excitons in GaAs quantum-well wires 期刊论文 chinese physics letters, 2004, 卷号: 21, 期号: 5, 页码: 919-922 Liu JJ; Di B; Yang GC; Li SS 收藏  |  浏览/下载：217/51  |  提交时间：2010/03/09 BINDING-ENERGY   Comparative study on the broadening of exciton luminescence linewidth due to phonon in zinc-blende and wurtzite GaN epilayers 期刊论文 applied physics letters, 2002, 卷号: 81, 期号: 23, 页码: 4389-4391 Xu SJ; Zheng LX; Cheung SH; Xie MH; Tong SY; Yang H 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  VAPOR-PHASE EPITAXY  CUBIC GAN  BINDING-ENERGY  PHOTOLUMINESCENCE  PRESSURE  ELECTRON  GAAS  ALN   Variational calculations of ionized-donor-bound excitons in GaAs-AlxGa1-xAs quantum wells 期刊论文 european physical journal b, 2001, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: 17-20 Liu JJ; Zhang SF; Li YX; Kong XJ 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/08/12 BINDING-ENERGY  2-DIMENSIONAL SEMICONDUCTORS  NEUTRAL DONORS  BIEXCITONS  PHOTOLUMINESCENCE  IMPURITY   Quantum-confined Stark effects of exciton states in V-shaped GaAs/AlxGa1-xAs quantum wires 期刊论文 physical review b, 1998, 卷号: 58, 期号: 4, 页码: 2031-2037 Chang K; Xia JB 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12 WELL WIRES  DIMENSIONAL EXCITONS  OPTICAL-PROPERTIES  THRESHOLD CURRENT  ELECTRIC-FIELD  BINDING-ENERGY  DEPENDENCE  ABSORPTION  SPECTRA