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科研机构
半导体研究所 [10]
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期刊论文 [8]
会议论文 [2]
发表日期
2005 [2]
2004 [1]
2003 [2]
2001 [1]
2000 [1]
1999 [2]
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学科主题
半导体物理 [10]
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学科主题:半导体物理
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大尺寸InAs/GaAs量子点的静压光谱
期刊论文
红外与毫米波学报, 2005, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 207-212
作者:
牛智川
;
王晓东
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2010/11/23
Photoluminescence of large-sized InAs/GaAs quantum dots under hydrostatic pressure
期刊论文
journal of infrared and millimeter waves, 2005, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 207-212
Ma BS
;
Wang XD
;
Luo JW
;
Su FH
;
Fang ZL
;
Ding K
;
Niu ZC
;
Li GH
收藏
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浏览/下载:41/17
  |  
提交时间:2010/03/17
condensed matter physics
Photoluminescence from self-assembled long-wavelength InAs/GaAs quantum dots under pressure
期刊论文
journal of applied physics, 2004, 卷号: 95, 期号: 3, 页码: 933-938
Ma, BS
;
Wang, XD
;
Su, FH
;
Fang, ZL
;
Ding, K
;
Niu, ZC
;
Li, GH
收藏
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浏览/下载:54/24
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提交时间:2010/03/09
GAMMA-X CROSSOVER
Pressure behavior of Te isoelectronic centers in S-rich ZnS1-xTex alloy
会议论文
10th international conference on high pressures in semiconductor physics (hpsp-x), guildford, england, aug 05-08, 2002
Li GH
;
Fang ZL
;
Su FH
;
Ma BS
;
Ding K
;
Han HX
;
Sou IK
;
Ge WK
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/15
OPTICAL-ABSORPTION
ZNS-TE
TRANSITION
EDGE
Pressure behavior of Te isoelectronic centers in S-rich ZnS1-xTex alloy
期刊论文
physica status solidi b-basic research, 2003, 卷号: 235, 期号: 2, 页码: 401-406
Li GH
;
Fang ZL
;
Su FH
;
Ma BS
;
Ding K
;
Han HX
;
Sou IK
;
Ge WK
收藏
  |  
浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/08/12
OPTICAL-ABSORPTION
ZNS-TE
TRANSITION
EDGE
Hydrostatic pressure effect on photoluminescence from a GaN0.015As0.985/GaAs quantum well
期刊论文
applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 23, 页码: 3595-3597
Tsang MS
;
Wang JN
;
Ge WK
;
Li GH
;
Fang ZL
;
Chen Y
;
Han HX
;
Li LH
;
Pan Z
收藏
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浏览/下载:98/11
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提交时间:2010/08/12
GAINNAS ALLOYS
BAND-STRUCTURE
GAAS
NITROGEN
GAN(X)AS1-X
IMPURITIES
BEHAVIOR
MASS
Pressure behaviour of self-assembled In0.55Al0.45As/Al0.5Ga0.5As quantum dots with multi-modal distribution in size
期刊论文
journal of physics-condensed matter, 2000, 卷号: 12, 期号: 13, 页码: 3173-3180
Chen Y
;
Zhang W
;
Li GH
;
Zhu ZM
;
Han HX
;
Wang ZP
;
Zhou W
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2010/08/12
HYDROSTATIC-PRESSURE
ALXGA1-XAS ALLOYS
PHOTOLUMINESCENCE
WELLS
LUMINESCENCE
DEPENDENCE
纳米晶Si在高压下的电学性质与金属化相变
期刊论文
高压物理学报, 1999, 卷号: 13, 期号: 2, 页码: 133
鲍忠兴
;
何宇亮
;
王卫乡
;
柳翠霞
;
陈伟
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2010/11/23
Pressure behavior of deep centers in ZnSxTe1-x alloys
会议论文
8th international conference on high pressure semiconductor physics (hpsp-viii), thessaloniki, greece, aug 09-13, 1998
Liu NZ
;
Li GH
;
Zhang W
;
Zhu ZM
;
Han HX
;
Wang ZP
;
Ge WK
;
Sou IK
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/15
ABSORPTION-EDGE
STRAINS
ZNS
Pressure behaviour of photoluminescence from InAs submonolayer in GaAs matrix
期刊论文
journal of physics-condensed matter, 1998, 卷号: 10, 期号: 48, 页码: 11111-11120
Li GH
;
Han HX
;
Ding K
;
Wang ZP
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2010/08/12
QUANTUM-WELLS
EMISSION
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