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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理    内容类型：期刊论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Strong up-conversion emissions in ZnO:Er3+, ZnO:Er3+-Yb3+ nanoparticles and their surface modified counterparts 期刊论文 journal of colloid and interface science, 2011, 卷号: 358, 期号: 2, 页码: 334-337 作者:  Li JB 收藏  |  浏览/下载：54/5  |  提交时间：2011/07/05 Sol-gel  ZnO:Er-Yb nanoparticles  Up-conversion  Core/shell  Three-photon processes  NANOCRYSTALLINE YTTRIA  OPTICAL SPECTROSCOPY  GLASSES  LUMINESCENCE  TEMPERATURE  ER3+  YB3+  GREEN  FILMS  OXIDE   Growth of thicker zinc-blende CrSb layers by using (In,Ga)As buffer layers 期刊论文 journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 9, 页码: art.no.093902 Deng JJ; Zhao JH; Bi JF; Niu ZC; Yang FH; Wu XG; Zheng HZ 收藏  |  浏览/下载：99/0  |  提交时间：2010/04/11 MOLECULAR-BEAM-EPITAXY  ROOM-TEMPERATURE FERROMAGNETISM  SPINTRONICS  MULTILAYER  FILMS  CRAS   Growth mode and strain evolution during InN growth on GaN(0001) by molecular-beam epitaxy 期刊论文 applied physics letters, 2002, 卷号: 81, 期号: 21, 页码: 3960-3962 Ng YF; Cao YG; Xie MH; Wang XL; Tong SY 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2010/08/12 MISFIT DISLOCATIONS  DEFECTS  INGAN  GAN  REDUCTION  INDIUM  LAYERS  FILMS   Mechanisms of the sidewall facet evolution in lateral epitaxial overgrowth of GaN by MOCVD 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2002, 卷号: 35, 期号: 21, 页码: 2731-2734 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/08/12 VAPOR-PHASE EPITAXY  DEPOSITION  LAYERS  FILMS   Surface roughness and high density of cubic twins and hexagonal inclusions in cubic GaN epilayers 期刊论文 science in china series a-mathematics physics astronomy, 2001, 卷号: 44, 期号: 6, 页码: 796-800 Qu B; Li SF; Hu GX; Zheng XH; Wang YT; Lin SM; Yang H; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：88/3  |  提交时间：2010/08/12 GaN  polarity  surface roughness  FILMS  STABILITY  GROWTH   Transmission electron microscopy study of triple-ribbon contrast features in a ZnTe epitaxial layer 期刊论文 philosophical magazine letters, 1998, 卷号: 78, 期号: 3, 页码: 203-211 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/08/12 THREADING DISLOCATION DENSITIES  II-VI COMPOUNDS  MISFIT DISLOCATIONS  SEMICONDUCTORS  ORIGIN  FILMS