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科研机构
半导体研究所 [15]
内容类型
期刊论文 [15]
发表日期
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2008 [1]
2007 [1]
2006 [3]
2003 [1]
2002 [3]
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学科主题
半导体物理 [15]
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学科主题:半导体物理
内容类型:期刊论文
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Strain and magnetic anisotropy of as-grown and annealed Fe films on c(4x4) reconstructed GaAs (001) surface
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 1, 页码: art. no. 013911
作者:
Chen L
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浏览/下载:74/0
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提交时间:2010/03/08
annealing
gallium arsenide
iron
magnetic anisotropy
magnetic epitaxial layers
magnetisation
molecular beam epitaxial growth
transmission electron microscopy
X-ray diffraction
Photoluminescence and lasing properties of InAs/GaAs quantum dots grown by metal-organic chemical vapour deposition
期刊论文
chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 11, 页码: 4300-4304
作者:
Liang S
;
Pan JQ
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浏览/下载:57/0
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提交时间:2010/03/08
metal-organic chemical vapour deposition
Application of rapid thermal annealing on 1.3-1.55 mu m GaInNAs(Sb) lasers grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2007, 卷号: 301, 期号: 0, 页码: 979-983
Zhao, H (Zhao, H.)
;
Xu, YQ (Xu, Y. Q.)
;
Ni, HQ (Ni, H. Q.)
;
Zhang, SY (Zhang, S. Y.)
;
Han, Q (Han, Q.)
;
Du, Y (Du, Y.)
;
Yang, XH (Yang, X. H.)
;
Wu, RH (Wu, R. H.)
;
Niu, ZC (Niu, Z. C.)
收藏
  |  
浏览/下载:56/0
  |  
提交时间:2010/03/29
photoluminescence
Enhancement of photoluminescence intensity of GaInNAs/GaAs quantum wells by two-step rapid thermal annealing
期刊论文
chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: 2579-2582
Zhao H (Zhao Huan)
;
Xu YQ (Xu Ying-Qiang)
;
Ni HQ (Ni Hai-Qiao)
;
Han Q (Han Qin)
;
Wu RH (Wu Rong-Han)
;
Niu ZC (Niu Zhi-Chuan)
收藏
  |  
浏览/下载:41/0
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提交时间:2010/04/11
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
IMPROVED LUMINESCENCE EFFICIENCY
ORIGIN
Optical properties of inGaAs/GaAs quantum wells grown by Sb-assisted molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2006, 卷号: 288, 期号: 1, 页码: 40529
作者:
Wu DH
;
Niu ZC
;
Jiang DS
;
Xu YQ
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浏览/下载:81/0
  |  
提交时间:2010/04/11
molecular beam epitaxy
quantum wells
semiconducting III-V materials
MU-M
LASERS
TEMPERATURE
SURFACTANT
NM
Post-growth and in situ annealing on GaInNAs(Sb) and their application in 1.55 mu m lasers
期刊论文
semiconductor science and technology, 2006, 卷号: 21, 期号: 3, 页码: 279-282
作者:
Xu YQ
;
Yang XH
收藏
  |  
浏览/下载:76/0
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提交时间:2010/04/11
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
IMPROVED LUMINESCENCE EFFICIENCY
QUANTUM-WELLS
ORIGIN
Selectively excited photoluminescence of GaAs1-xNx single quantum wells
期刊论文
journal of applied physics, 2003, 卷号: 94, 期号: 8, 页码: 4863-4865
作者:
Tan PH
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浏览/下载:142/0
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAASN ALLOYS
NITROGEN
LUMINESCENCE
PRESSURE
STATES
ENERGY
Structural properties of polycrystalline silicon films formed by pulsed rapid thermal processing
期刊论文
chinese physics, 2002, 卷号: 11, 期号: 5, 页码: 492-495
Wang YQ
;
Liao XB
;
Diao HW
;
Zhang SB
;
Xu YY
;
Chen CY
;
Chen WD
;
Kong GL
收藏
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浏览/下载:102/13
  |  
提交时间:2010/08/12
polycrystalline silicon film
rapid thermal processing
microstructure
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
AMORPHOUS-SILICON
PRESSURE
TRANSISTORS
CRYSTALLIZATION
GROWTH
Effect of rapid thermal annealing and hydrogen plasma treatment on the microstructure and light-emission of silicon-rich oxide film
期刊论文
acta physica sinica, 2002, 卷号: 51, 期号: 7, 页码: 1564-1570
Wang YQ
;
Chen WD
;
Chen CY
;
Diao HW
;
Zhang SB
;
Xu YY
;
Kong GL
;
Liao XB
收藏
  |  
浏览/下载:45/0
  |  
提交时间:2010/08/12
silicon-rich silicon oxide
microstructure
light-emission
rapid thermal annealing
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
AMORPHOUS-SILICON
POROUS SILICON
SI
LUMINESCENCE
NANOCRYSTALS
SPECTRA
SYSTEM
Effect of rapid thermal annealing on electron emission and DX centers in strained InGaAs/GaAs single quantum well laser diodes
期刊论文
acta physica sinica, 2002, 卷号: 51, 期号: 2, 页码: 367-371
Lu LW
;
Zhang YH
;
Xu ZT
;
Xu ZY
;
Wang ZG
;
Wang J
;
Ge WK
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浏览/下载:102/7
  |  
提交时间:2010/08/12
quantum well
rapid thermal annealing
electron emission
DX centers
CRITICAL LAYER THICKNESS
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
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