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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理    内容类型：期刊论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Evaluating AlGaN/AlN/GaN heterostructure Schottky barrier heights with flat-band voltage from forward current-voltage characteristics 期刊论文 applied physics letters, 2011, 卷号: 99, 期号: 12, 页码: 123504 Lv YJ; Lin ZJ; Meng LG; Yu YX; Luan CB; Cao ZF; Chen H; Sun BQ; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2012/01/06 Efficient hole transport in asymmetric coupled InGaN multiple quantum wells 期刊论文 applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 16, 页码: art.no.161110 Zhang JY (Zhang Jiang-Yong); Cai LE (Cai Li-E); Zhang BP (Zhang Bao-Ping); Hu XL (Hu Xiao-Long); Jiang F (Jiang Fang); Yu JZ (Yu Jin-Zhong); Wang QM (Wang Qi-Ming) 收藏  |  浏览/下载：142/33  |  提交时间：2010/03/08 Field emission enhancement by the quantum structure in an ultrathin multilayer planar cold cathode 期刊论文 applied physics letters, 2008, 卷号: 92, 期号: 14, 页码: art. no. 142102 Wang, RZ; Yan, H; Wang, B; Zhang, XW; Hou, XY 收藏  |  浏览/下载：54/6  |  提交时间：2010/03/08 ELECTRON-EMISSION  MECHANISM  EMITTER  GAP   Polarity dependence of hexagonal GaN films on two opposite c faces of Al2O3 substrate 期刊论文 applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 25, 页码: 3974-3976 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：76/9  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  SURFACE POLARITY  SINGLE-CRYSTALS  BUFFER LAYER  GROWN GAN  DEPOSITION  MORPHOLOGY  QUALITY  ZNO   Electroluminescence from Au/(SiO2/Si/SiO2) nanometer double barrier/p-Si structures and its mechanism 期刊论文 journal of physics-condensed matter, 2001, 卷号: 13, 期号: 50, 页码: 11751-11761 Qin GG; Chen Y; Ran GZ; Zhang BR; Wang SH; Qin G; Ma ZC; Zong WH; Ren SF 收藏  |  浏览/下载：91/6  |  提交时间：2010/08/12 P-SI  PHOTOLUMINESCENCE