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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
会议论文 [4]
发表日期
2007 [1]
2000 [3]
学科主题
半导体物理 [4]
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学科主题:半导体物理
内容类型:会议论文
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Self-assembled GaAs quantum rings by MBE droplet epitaxy
会议论文
china international conference on nanoscience and technology (chinanano 2005), beijing, peoples r china, jun 09-11, 2005
Huang, SS (Huang, Shesong)
;
Niu, ZC (Niu, Zhichuan)
;
Xia, JB (Xia, Jianbai)
收藏
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浏览/下载:233/75
  |  
提交时间:2010/03/29
quantum single rings
concentric quantum double rings
coupled concentric quantum double ring
droplet epitaxy
Indium-doping enhanced two-dimensional-electron-gas performance in AlGaN/GaN heterostructures
会议论文
international workshop on nitride semiconductors (iwn 2000), nagoya, japan, sep 24-27, 2000
作者:
Han PD
收藏
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浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2010/10/29
AlGaN/GaN heterostructures
In-doping
2DEG
electron sheet density
X-ray diffraction
etching
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
PHASE EPITAXY
MOBILITY
GROWTH
FILMS
Proof of InAs/GaAs self-organized quantum dot lasing and the experimental determination of local Strain effect on the band structures
会议论文
26th international symposium on compound semiconducors, berlin, germany, aug 22-26, 1999
Wang H
;
Wang HL
;
Feng SL
;
Zhu HJ
;
Wang XD
;
Guo ZS
;
Ning D
收藏
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浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2010/11/15
ELECTRONIC-STRUCTURE
CARRIER RELAXATION
ENERGY-LEVELS
SPECTROSCOPY
Electronic characteristics of InAs self-assembled quantum dots
会议论文
9th international conference on modulated semiconductor structures (mss9), fukuoka, japan, jul 12-16, 1999
Wang HL
;
Feng SL
;
Zhu HJ
;
Ning D
;
Chen F
收藏
  |  
浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2010/11/15
InAs/GaAs quantum dots
self-assembled structure
DLTS
PL
band offset
ENERGY-LEVELS
CARRIER RELAXATION
SPECTROSCOPY
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