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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Behavioural investigation of InN nanodots by surface topographies and phase images 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 44, 页码: 445306 Deng, QW; Wang, XL; Xiao, HL; Wang, CM; Yin, HB; Chen, H; Lin, DF; Li, JM; Wang, ZG; Hou, X 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/01/06 QUANTUM DOTS  SOLAR-CELLS  GROWTH  FILMS  GAN   1.55-mu m resonant cavity enhanced photodiode based on MBE grown Ge quantum dots 会议论文 4th international conference on silicon epitaxy and heterostructures, awaji isl, japan, may 23-26, 2005 Yu, J; Kasper, E; Oehme, M 收藏  |  浏览/下载：146/20  |  提交时间：2010/03/29 SiGe   Progress of Si-based nanocrystalline luminescent materials 期刊论文 chinese science bulletin, 2002, 卷号: 47, 期号: 15, 页码: 1233-1242 Peng YC; Zhao XW; Fu GS 收藏  |  浏览/下载：85/0  |  提交时间：2010/08/12 Si-based nanomaterials  fabricated method  structural characterization  light emitting mechanism  Si-based photoelectronic devices  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  SELF-ASSEMBLING FORMATION  SILICON QUANTUM DOTS  LASER-ABLATION  OPTICAL-ABSORPTION  POROUS SILICON  LIGHT-EMISSION  PHOTOLUMINESCENCE  FABRICATION  OXYGEN   Changing the size and shape of Ge island by chemical etching 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 231, 期号: 1-2, 页码: 17-21 Gao F; Huang CJ; Huang DD; Li JP; Sun DZ; Kong MY; Zeng YP; Li JM; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：175/52  |  提交时间：2010/08/12 atomic force microscopy  etching  nanostructures  molecular beam epitaxy  semiconducting germanium  semiconducting silicon  QUANTUM DOTS  INAS  GROWTH  STRAIN   New progress of studies on semiconductor materials 期刊论文 rare metal materials and engineering, 2000, 卷号: 29, 期号: 0, 页码: 17-21 Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/08/12 semiconductor material  progress  prospect