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科研机构
半导体研究所 [5]
内容类型
期刊论文 [3]
会议论文 [2]
发表日期
2011 [1]
2004 [2]
2001 [1]
1991 [1]
学科主题
半导体材料 [5]
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学科主题:半导体材料
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Infrared transition properties of vanadium dioxide thin films across semiconductor-metal transition
期刊论文
rare metals, 2011, 卷号: 30, 期号: 3, 页码: 247-251
作者:
Li GK
收藏
  |  
浏览/下载:74/2
  |  
提交时间:2011/07/05
vanadium dioxide
infrared transition
diffraction effect
dual ion beam sputtering
annealing
The diphasic nc-Si/a-Si : H thin film with improved medium-range order
期刊论文
journal of non-crystalline solids, 2004, 卷号: 338, 期号: 0, 页码: 188-191
Zhang S
;
Liao X
;
Xu Y
;
Martins R
;
Fortunato E
;
Kong G
收藏
  |  
浏览/下载:222/53
  |  
提交时间:2010/03/09
AMORPHOUS-SILICON FILMS
The diphasic nc-Si/a-Si : H thin film with improved medium-range order
会议论文
20th international conference on amorphous and microcrystalline semiconductors, campos do jordao, brazil, aug 25-29, 2003
Zhang S
;
Liao X
;
Xu Y
;
Martins R
;
Fortunato E
;
Kong G
收藏
  |  
浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2010/11/15
AMORPHOUS-SILICON FILMS
SCATTERING
ABSORPTION
DENSITIES
HYDROGEN
Photoluminescence of nanocrystalline SiC films prepared by rf magnetron sputtering
会议论文
chinese-german workshop on characterization and development on nanosystems, beijing, peoples r china, oct 30-nov 02, 2000
Liu JW
;
Xie FQ
;
Zhong DY
;
Wang EG
;
Liu WX
;
Li SF
;
Yang H
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2010/11/15
luminescence
SiC
nanocrystalline film
rf sputtering
RAMAN-SCATTERING
LIQUID-PHASE EPITAXY GROWTH AND PROPERTIES OF GAINASSB/ALGAASSB/GASB HETEROSTRUCTURES
期刊论文
japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 1991, 卷号: 30, 期号: 7, 页码: 1343-1347
GONG XY
;
YANG BH
;
MA YD
;
GAO FS
;
YU Y
;
HAN WJ
;
LUI XF
;
XI JY
;
WANG ZG
;
LIN LY
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2010/11/15
ROOM-TEMPERATURE OPERATION
ALLOY COMPOSITION
WAVELENGTH RANGE
LATTICE-CONSTANT
LASERS
GASB
GAINASSB
BANDGAP
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