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| High performance 2150 nm-emitting InAs/InGaAs/InP quantum well lasers grown by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文
optics express, 2015, 卷号: 23, 期号: 7, 页码: 8383-8388
S. Luo; H.M. Ji; F. Gao; F. Xu; X.G. Yang; P. Liang; T. Yang
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| MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers 期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117
作者: Jia CH ; Song HP
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| Effect of antimony irradiation on InAs/Sb:GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy 期刊论文
semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: article no.75010
作者: Yang T; Yang XG; Wang KF
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| Room-temperature spin photocurrent spectra at interband excitation and comparison with reflectance-difference spectroscopy in InGaAs/AlGaAs quantum wells 期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 5, 页码: article no.53519
Yu JL; Chen YH; Jiang CY; Liu Y; Ma H
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| Effects of ultra-low Al alloying In(Al) As layer on the formation and evolution of InAs/GaAs quantum dots 期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 9, 页码: article no.94311
作者: Xu B; Zhou GY; Ye XL; Zhang HY
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| Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane GaN revealed by selective etching 期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 141-145
作者: Duan RF
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| Valence band offset of GaN/diamond heterojunction measured by X-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文
applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 18, 页码: 8110-8112
作者: Shi K; Jiao CM; Song HP
收藏 | 浏览/下载：94/7 | 提交时间：2011/07/05
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| The effect of different oriented sapphire substrates on the growth of polar and non-polar ZnMgO by MOCVD 期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 39-42
作者: Song HP; Shi K; Sang L; Wei HY
收藏 | 浏览/下载：58/3 | 提交时间：2011/07/05
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| Study of molecular-beam epitaxy growth on patterned GaAs (1 0 0) substrates by masked indium ion implantation 期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 318, 期号: 1, 页码: 572-575
作者: Xu B; Jin P; Ye XL
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| Growth Simulations of Self-Assembled Nanowires on Stepped Substrates 期刊论文
ieee journal of selected topics in quantum electronics, 2011, 卷号: 17, 期号: 4, 页码: 960-965
Liang S; Kong DH; Zhu HL; Wang W
收藏 | 浏览/下载：26/0 | 提交时间：2012/02/06
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