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科研机构
半导体研究所 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2009 [1]
2005 [1]
学科主题
半导体材料 [2]
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学科主题:半导体材料
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Annealing study of carrier concentration in gradient-doped GaAs/GaAlAs epilayers grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
applied optics, 2009, 卷号: 48, 期号: 9, 页码: 1715-1720
Zhang YJ
;
Chang BK
;
Yang Z
;
Niu J
;
Xiong YJ
;
Shi F
;
Guo H
;
Zeng YP
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提交时间:2010/03/08
GAAS PHOTOCATHODES
GALLIUM-ARSENIDE
ALXGA1-XAS
DIFFUSION
SURFACE
ENERGY
A model for scattering due to interface roughness in finite quantum wells
期刊论文
semiconductor science and technology, 2005, 卷号: 20, 期号: 12, 页码: 1207-1212
作者:
Han XX
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浏览/下载:60/0
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提交时间:2010/04/11
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ELECTRON-GAS
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