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半导体研究所 [136]
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学科主题
半导体材料 [136]
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学科主题:半导体材料
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Tailoring axial intensity of laser beams with a heart-shaped hole
期刊论文
Optics Letters, 2017, 卷号: 42, 期号: 23, 页码: 4921-4924
作者:
YULONG WANG
;
LIJUAN XIE
;
JIASHENG YE
;
WENFENG SUN
;
XINKE WANG
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2018/05/31
The effect of magnetic ordering on light emitting intensity of Eu-doped GaN
期刊论文
journal of physics d: applied physics, 2013, 卷号: 46, 期号: 21, 页码: 215101
Yanchen Li, Sheng Yu, Xianquan Meng, Yihe Liu, Yonghe Zhao, Feng qi Liu and Zhanguo Wang
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2014/03/18
Anomalous Temperature Dependence of Photoluminescence in InAs/InAlGaAs/InP Quantum Wire and Dot Hybrid Nanostructures
期刊论文
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: article no.27801
作者:
Xu B
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浏览/下载:51/3
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提交时间:2011/07/05
CONTINUOUS-WAVE OPERATION
EMISSION
LASERS
WAVELENGTH
EXCITONS
ENERGY
MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117
作者:
Jia CH
;
Song HP
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浏览/下载:118/2
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提交时间:2011/07/05
Anisotropy
Crystal morphology
Metalorganic chemical vapor deposition
a-Plane InN
INDIUM NITRIDE
MOVPE GROWTH
CUBIC INN
SAPPHIRE
GAN
MBE
Effect of antimony irradiation on InAs/Sb:GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: article no.75010
作者:
Yang T
;
Yang XG
;
Wang KF
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浏览/下载:63/2
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提交时间:2011/07/05
HIGH-DENSITY
TEMPERATURE-DEPENDENCE
SELF-FORMATION
LAYERS
WELL
MBE
Single Neutral Excitons Confined in AsBr3 In Situ Etched In GaAs Quantum Rings
期刊论文
journal of nanoelectronics and optoelectronics, 2011, 卷号: 6, 期号: 1, 页码: 51-57
Ding F
;
Li B
;
Akopian N
;
Perinetti U
;
Chen YH
;
Peeters FM
;
Rastelli A
;
Zwiller V
;
Schmidt OG
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浏览/下载:71/5
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提交时间:2011/07/05
Quantum Ring
Quantum Dot
Neutral Exciton
Aharonov Bohm Effect
Gate Controlled
Selective Etching
ENERGY-SPECTRA
Photorefractive effects in ZnO nanorod doped liquid crystal cell
期刊论文
applied optics, 2011, 卷号: 50, 期号: 8, 页码: 1101-1104
作者:
Guo YB
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浏览/下载:71/7
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提交时间:2011/07/05
HOLOGRAPHIC GRATING FORMATION
LUMINESCENCE
FIELDS
FILMS
Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane GaN revealed by selective etching
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 141-145
作者:
Duan RF
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浏览/下载:80/4
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提交时间:2011/07/05
CL
PL
Stacking fault
HVPE
GaN
Nonpolar
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
ACCEPTOR PAIR EMISSION
PHASE EPITAXY
GROWN GAN
SEMICONDUCTORS
SAPPHIRE
FILMS
NITRIDE
Cathodoluminescence of Yellow and Blue Luminescence in Undoped Semi-insulating GaN and n-GaN
期刊论文
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: article no.37102
Hou QF
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Wang CM
;
Yang CB
;
Yin HB
;
Li JM
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:40/4
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提交时间:2011/07/05
EPITAXIAL LAYERS
PHOTOLUMINESCENCE
ABSORPTION
CARBON
BAND
Enhanced electroluminescence from ZnO-based heterojunction light-emitting diodes by hydrogen plasma treatment
期刊论文
physica status solidi-rapid research letters, 2011, 卷号: 5, 期号: 2, 页码: 74-76
作者:
You JB
;
Zhang XW
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浏览/下载:49/4
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提交时间:2011/07/05
ZnO
LED
electroluminescence
hydrogen-plasma treatment
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