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科研机构
半导体研究所 [8]
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会议论文 [1]
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2014 [1]
2013 [1]
2007 [1]
2006 [1]
2004 [2]
1995 [1]
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学科主题
半导体材料 [8]
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学科主题:半导体材料
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Study of the one dimensional electron gas arrays confined by steps in vicinal GaN/AlGaN heterointerfaces
期刊论文
journal of applied physics, 2014, 卷号: 115, 期号: 19, 页码: 193704
Li, HJ
;
Zhao, GJ
;
Liu, GP
;
Wei, HY
;
Jiao, CM
;
Yang, SY
;
Wang, LS
;
Zhu, QS
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2015/03/25
Control of epitaxial relationships of ZnO/SrTiO3 heterointerfaces by etching the substrate surface
期刊论文
nanoscale research letters, 2013, 卷号: 8, 页码: 23
Jia, Caihong
;
Chen, Yonghai
;
Liu, Xianglin
;
Yang, Shaoyan
;
Zhang, Weifeng
;
Wang, Zhanguo
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2013/09/22
Circular photogalvanic effect of the two-dimensional electron gas in AlXGa1-XN/GaN heterostructures under uniaxial strain
期刊论文
applied physics letters, 2007, 卷号: 91, 期号: 7, 页码: art.no.071912
He XW
;
Shen B
;
Tang YQ
;
Tang N
;
Yin CM
;
Xu FJ
;
Yang ZJ
;
Zhang GY
;
Chen YH
;
Tang CG
;
Wang ZG
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2010/03/29
QUANTUM-WELLS
Peculiar photocurrent response due to Gamma-X coupling in a GaAs/AlAs heterostructure
期刊论文
semiconductor science and technology, 2006, 卷号: 21, 期号: 5, 页码: 643-646
Hu B
;
Zheng HZ
;
Peng J
;
Li GR
;
Li YH
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浏览/下载:56/0
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提交时间:2010/04/11
QUANTUM-WELL
STORAGE
SUPERLATTICES
Effects of polarization field on formation of two-dimensional electron gas in (0001) and (11(2)over-bar0) plane AlGaN/GaN heterostructures
期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 268, 期号: 3-4, 页码: 504-508
Chen, Z
;
Chua, SJ
;
Yuan, HR
;
Liu, XL
;
Lu, DC
;
Han, PD
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:269/35
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提交时间:2010/03/09
metalorganic chemical vapor deposition
Effects of polarization field on formation of two-dimensional electron gas in (0001) and (11(2)over-bar0) plane AlGaN/GaN heterostructures
会议论文
international conference on materials for advanced technologies, singapore, singapore, dec 07-12, 2003
作者:
Han PD
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浏览/下载:83/1
  |  
提交时间:2010/10/29
metalorganic chemical vapor deposition
semiconducting III-V materials
DOPED AL(X)GA1-XN/GAN HETEROSTRUCTURES
CARRIER CONFINEMENT
EFFECT TRANSISTORS
PHOTOLUMINESCENCE
MOBILITY
HETEROJUNCTION
INTERFACE
HFETS
Quantum interference effect in GaAs/AlGaAs double quantum wells
期刊论文
materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 1995, 卷号: 35, 期号: 0, 页码: 372-375
Wang XH
;
Yu Q
;
Laiho R
;
Li CF
;
Liu JA
;
Yang XP
;
Zheng HZ
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2010/11/17
quantum effect
GaAs
quantum wells
RINGS
TUNNELING ESCAPE TIME OF ELECTRONS FROM A QUANTUM-WELL WITH GAMMA-X MIXING EFFECT
期刊论文
applied physics letters, 1994, 卷号: 65, 期号: 8, 页码: 1036-1038
ZHANG YM
;
ZHENG HZ
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2010/11/15
DOUBLE BARRIER STRUCTURES
SEMICONDUCTOR HETEROINTERFACES
ENVELOPE FUNCTIONS
INTERFACE MATRIX
HETEROSTRUCTURES
GAAS/ALXGA1-XAS
SUPERLATTICES
CONNECTION
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