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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effect of InxGa1-xAs (0 <= x <= 0.4) capping layer on self-assembled 1.3 mu m wavelength InAs/GaAs quantum islands 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 3, 页码: 363-368 Wang XD; Niu ZC; Feng SL; Miao ZH 收藏  |  浏览/下载：93/3  |  提交时间：2010/08/12 atomic force microscopy  low dimensional structures  optical microscopy  molecular beam epitaxy  nanomaterials  semiconducting III-V materials  laser diodes  TEMPERATURE-DEPENDENCE  M PHOTOLUMINESCENCE  INGAAS OVERGROWTH  GAAS  DOTS  EMISSION  ENERGY  LASER   Effect of In-mole-fraction in InGaAs overgrowth layer on self-assembled InAs/GaAs quantum dots 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 213, 期号: 1-2, 页码: 193-197 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dots  InGaAs overgrowth layer  photoluminescence  molecular beam epitaxy  1.3 MU-M  ROOM-TEMPERATURE  PHOTOLUMINESCENCE LINEWIDTH  EMISSION  LASERS  ENERGY