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科研机构
半导体研究所 [8]
内容类型
期刊论文 [8]
发表日期
2011 [1]
2010 [1]
2009 [1]
2007 [1]
2003 [1]
2002 [1]
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学科主题
半导体材料 [8]
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学科主题:半导体材料
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Fast simultaneous measurement of multi-gases using quantum cascade laser photoacoustic spectroscopy
期刊论文
applied physics b-lasers and optics, 2011, 卷号: 103, 期号: 3, 页码: 743-747
作者:
Li L
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浏览/下载:36/2
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提交时间:2011/07/05
SENSOR
Effects of annealing treatment on the formation of CO2 in ZnO thin films grown by metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
applied surface science, 2010, 卷号: 256, 期号: 8, 页码: 2606-2610
作者:
Wei HY
;
Jia CH
;
Jiao CM
;
Song HP
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浏览/下载:156/40
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提交时间:2010/04/04
ZnO
Metal-organic chemical vapor deposition
Infrared absorption
Surface
RAY PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY
POLAR-SURFACE
EPITAXY
Characterization of Thick GaN Films Directly Grown on Wet-Etching Patterned Sapphire by HVPE
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: art. no. 096801
作者:
Yang JK
;
Wei TB
;
Duan RF
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浏览/下载:73/3
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提交时间:2010/03/08
VAPOR-PHASE EPITAXY
DISLOCATIONS
SUBSTRATE
LAYER
On the formation of well-aligned ZnO nanowall networks by catalyst-free thermal evaporation method
期刊论文
journal of crystal growth, 2007, 卷号: 305, 期号: 1, 页码: 296-301
Yin ZG (Yin Zhigang)
;
Chen NF (Chen Nuofu)
;
Dai RX (Dai Ruixuan)
;
Liu L (Liu Lei)
;
Zhang XW (Zhang Xingwang)
;
Wang XH (Wang Xiaohui)
;
Wu JL (Wu Jinliang)
;
Chai CL (Chai Chunlin)
收藏
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浏览/下载:71/0
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提交时间:2010/03/29
nanostructures
Influences of reactor pressure of GaN buffer layers on morphological evolution of GaN grown by MOCVD
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 256, 期号: 3-4, 页码: 248-253
作者:
Zhang SM
收藏
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浏览/下载:293/3
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提交时间:2010/08/12
in situ laser reflectometry
lateral overgrowths
surface morphology
metalorganic chemical vapor deposition
GaN
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
LIGHT-EMITTING-DIODES
SAPPHIRE SUBSTRATE
NUCLEATION LAYERS
QUALITY
TEMPERATURE
Nanodiamond formation by hot-filament chemical vapor deposition on carbon ions bombarded Si
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 236, 期号: 1-3, 页码: 85-89
Liao MY
;
Meng XM
;
Zhou XT
;
Hu JQ
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:145/8
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提交时间:2010/08/12
nucleation
chemical vapor deposition processes
diamond
nanomaterials
DIAMOND THIN-FILMS
AMORPHOUS-CARBON
PLASMAS
SYSTEM
FIELD
Growth and characterization of InGaAs/InAlAs/InP high-electron-mobility transistor structures towards high channel conductivity
期刊论文
journal of crystal growth, 1998, 卷号: 186, 期号: 3, 页码: 309-314
作者:
Xu B
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2010/08/12
PHEMT
high channel conductivity
MBE
HETEROSTRUCTURES
GAS
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
Growth of GaAs on Si by using a thin Si film as buffer layer
期刊论文
chinese physics letters, 1996, 卷号: 13, 期号: 1, 页码: 42-45
Hao MS
;
Liang JW
;
Jing XJ
;
Wang YT
;
Deng LS
;
Xiao ZB
;
Zheng LX
;
Hu XW
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提交时间:2010/11/17
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
ON-SI
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