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科研机构
半导体研究所 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2010 [1]
2004 [1]
学科主题
半导体材料 [2]
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学科主题:半导体材料
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Delay of the excited state lasing of 1310 nm InAs/GaAs quantum dot lasers by facet coating
期刊论文
applied physics letters, 2010, 卷号: 96, 期号: 17, 页码: art. no. 171101
Cao YL (Cao Yu-Lian)
;
Yang T (Yang Tao)
;
Xu PF (Xu Peng-Fei)
;
Ji HM (Ji Hai-Ming)
;
Gu YX (Gu Yong-Xian)
;
Wang XD (Wang Xiao-Dong)
;
Wang Q (Wang Qing)
;
Ma WQ (Ma Wen-Quan)
;
Chen LH (Chen Liang-Hui)
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提交时间:2010/05/24
excited states
gallium arsenide
III-V semiconductors
indium compounds
laser tuning
optical films
quantum dot lasers
silicon compounds
tantalum compounds
TEMPERATURE-DEPENDENCE
THRESHOLD
PERFORMANCE
GAIN
Temperature-induced switching-over of the luminescence transitions in GaInNAs/GaAs quantum wells
期刊论文
chinese physics letters, 2004, 卷号: 21, 期号: 3, 页码: 548-551
Bian LF
;
Jiang D
;
Liang XG
;
Lu SL
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提交时间:2010/03/09
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
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