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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Room-temperature observation of electron resonant tunneling through InAs/AlAs quantum dots 期刊论文 electrochemical and solid state letters, 2006, 卷号: 9, 期号: 5, 页码: g167-g170 作者:  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：77/0  |  提交时间：2010/04/11 SEMICONDUCTOR-DEVICES  TRANSPORT  STATES  BISTABILITY  VOLTAGE  LASERS  DIODE   Annealing ambient controlled deep defect formation in InP 会议论文 10th international conference on defects - recognition, imaging and physics in semiconductors (drip 10), batz sur mer, france, sep 29-oct 02, 2003 Zhao YW; Dong ZY; Duan ML; Sun WR; Zeng YP; Sun NF; Sun TN 收藏  |  浏览/下载：20/1  |  提交时间：2010/10/29 FE-DOPED INP  SEMIINSULATING INP  POINT-DEFECTS  PRESSURE  WAFERS  TRAPS   Annealing ambient controlled deep defect formation in InP 期刊论文 european physical journal-applied physics, 2004, 卷号: 27, 期号: 1-3, 页码: 167-169 Zhao, YW; Dong, ZY; Duan, ML; Sun, WR; Zeng, YP; Sun, NF; Sun, TN 收藏  |  浏览/下载：360/63  |  提交时间：2010/03/09 FE-DOPED INP   Wafer bonding technique used for the integration of cubic GaN/GaAs (001) with Si substrate 期刊论文 science in china series e-technological sciences, 2002, 卷号: 45, 期号: 3, 页码: 255-260 作者:  Zhang SM;  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：88/5  |  提交时间：2010/08/12 wafer bonding  cubic  GaN/GaAs(001)  Si-substrate  LIGHT-EMITTING-DIODES  P-TYPE GAN  RESISTANCE  CONTACT  LASER   Optical properties of InGaAs quantum dots formed on InAlAs wetting layer 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 224, 期号: 1-2, 页码: 41-46 作者:  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：77/2  |  提交时间：2010/08/12 nanostructures  molecular beam epitaxy  semiconducting III-V materials  ELECTRON-PHONON INTERACTIONS  TEMPERATURE-DEPENDENCE  SEMICONDUCTOR NANOCRYSTALS  CARRIER TRANSFER  INAS  GAAS  LASERS  ISLANDS  GROWTH  GAIN   Annealing effect on the surface morphology and photoluminescence of InGaAs/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 212, 期号: 1-2, 页码: 356-359 作者:  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/08/12 rapid thermal annealing  InGaAs/GaAs  quantum dots  molecular beam epitaxy  LUMINESCENCE  FABRICATION  GAAS(100)  INTERFACE  LASER  LAYER