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科研机构
半导体研究所 [7]
内容类型
期刊论文 [6]
会议论文 [1]
发表日期
2011 [1]
2010 [2]
2002 [1]
2001 [3]
学科主题
半导体材料 [7]
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学科主题:半导体材料
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Study of molecular-beam epitaxy growth on patterned GaAs (1 0 0) substrates by masked indium ion implantation
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 318, 期号: 1, 页码: 572-575
作者:
Xu B
;
Jin P
;
Ye XL
收藏
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浏览/下载:63/1
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提交时间:2011/07/05
Atom force microscopy
Nanostructures
Molecular-beam epitaxy
Nanomaterials
Semiconducting gallium arsenide
QUANTUM-DOTS
ANODIC ALUMINA
ARRAYS
PLACEMENT
INAS
Controlled growth of silicon nanowires by solid-liquid-solid method and their formation mechanism
期刊论文
acta physica sinica, 2010, 卷号: 59, 期号: 2, 页码: 1169-1174
Peng YC (Peng Ying-Cai)
;
Fan ZD (Fan Zhi-Dong)
;
Bai ZH (Bai Zhen-Hua)
;
Ma L (Ma Lei)
收藏
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浏览/下载:142/29
  |  
提交时间:2010/04/21
silicon nanowires
Au-Si liquid droplet alloys
solid-liquid-solid growth
structural characteristics
SI NANOWIRES
NI CATALYSTS
One-pot synthesis and self-assembly of colloidal copper(I) sulfide nanocrystals
期刊论文
nanotechnology, 2010, 卷号: 21, 期号: 28, 页码: art. no. 285602
Tang AW (Tang Aiwei)
;
Qu SC (Qu Shengchun)
;
Li K (Li Kai)
;
Hou YB (Hou Yanbing)
;
Teng F (Teng Feng)
;
Cao J (Cao Jie)
;
Wang YS (Wang Yongsheng)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
收藏
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浏览/下载:218/43
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提交时间:2010/07/18
BINARY NANOPARTICLE SUPERLATTICES
LIGHT-EMITTING-DIODES
SOLVENTLESS SYNTHESIS
CDSE NANOCRYSTALS
QUANTUM DOTS
MONODISPERSE NANOCRYSTALS
OPTICAL-PROPERTIES
CDTE NANOCRYSTALS
CU2S NANOCRYSTALS
SOLAR-CELLS
Nanofabrication of grid-patterned substrate by holographic lithography
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 236, 期号: 1-3, 页码: 141-144
Huang CJ
;
Zhu XP
;
Li C
;
Zuo YH
;
Cheng BW
;
Li DZ
;
Luo LP
;
Yu JZ
;
Wang QM
收藏
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浏览/下载:119/4
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提交时间:2010/08/12
etching
nanostructures
substrates
ASSEMBLED GE ISLANDS
SI(001)
GROWTH
DOTS
Size and shape evolution of self-assembled coherent InAs/GaAs quantum dots influenced by seed layer
会议论文
11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000
作者:
Xu B
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/15
low dimensional structures
molecular beam epitaxy
nanomaterials
INAS ISLANDS
GAAS
GROWTH
GAAS(100)
THICKNESS
DENSITY
Changing the size and shape of Ge island by chemical etching
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 231, 期号: 1-2, 页码: 17-21
Gao F
;
Huang CJ
;
Huang DD
;
Li JP
;
Sun DZ
;
Kong MY
;
Zeng YP
;
Li JM
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:175/52
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提交时间:2010/08/12
atomic force microscopy
etching
nanostructures
molecular beam epitaxy
semiconducting germanium
semiconducting silicon
QUANTUM DOTS
INAS
GROWTH
STRAIN
Size and shape evolution of self-assembled coherent InAs/GaAs quantum dots influenced by seed layer
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 1005-1009
作者:
Xu B
收藏
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浏览/下载:125/19
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提交时间:2010/08/12
low dimensional structures
molecular beam epitaxy
nanomaterials
INAS ISLANDS
GAAS
GROWTH
GAAS(100)
THICKNESS
DENSITY
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