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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The influence of 1 nm AlN interlayer on properties of the Al0.3Ga0.7N/AlN/GaN HEMT structure 期刊论文 microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 777-781 Guo, LC; Wang, XL; Wang, CM; Mao, HL; Ran, JX; Luo, WJ; Wang, XY; Wang, BZ; Fang, CB; Hu, GX 收藏  |  浏览/下载：94/1  |  提交时间：2010/03/08 GaN  HEMT  2DEG  mobility  polarization   Influence of AlN interfacial layer on electrical properties of high-Al-content Al0.45Ga0.55N/GaN HEMT structure 期刊论文 applied surface science, 2006, 卷号: 253, 期号: 2, 页码: 762-765 Wang CM (Wang Cuimei); Wang XL (Wang Xiaoliang); Hu GX (Hu Guoxin); Wang JX (Wang Junxi); Li HP (Li Jianping); Wang ZG (Wang Zhanguo) 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/04/11 AlGaN/AlN/GaN  two-dimensional electron gas  MOCVD  ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES  POLARIZATION  TRANSISTORS  GANHEMTS  GAS   Study of persistent photoconductivity and subband electronic properties of the two-dimensional electron gas in modulation doped GaAs/AlGaAs structure 期刊论文 acta physica sinica, 2006, 卷号: 55, 期号: 3, 页码: 1379-1383 Shu Q; Shu YC; Zhang GJ; Liu RB; Yao JH; Pi B; Xing XD; Lin YW; Xu JJ; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：65/0  |  提交时间：2010/04/11 two-dimensional electron gas  quantum Hall effect  SdH oscillations  persistent photoconductivity  HETEROSTRUCTURES  ALXGA1-XAS  SCATTERING  LIFETIME  MOBILITY  GAAS  TE   Theoretical analysis of gate voltage-controlled subband states in an AlxGa1-xN/GaN heterostructure 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2005, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: 230-236 Han, XX; Li, JM; Wu, JJ; Cong, GW; Liu, XL; Zhu, QS; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：39/16  |  提交时间：2010/03/17 two-dimensional electron gas