QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effects of different modified underlayer surfaces on growth and optical properties of InGaN quantum dots 期刊论文 vacuum, 2005, 卷号: 77, 期号: 3, 页码: 307-314 Han, XX; Li, JM; Wu, JJ; Wang, XH; Li, DB; Liu, XL; Han, PD; Zhu, QS; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/03/17 nanostructure   Indium doping effect on GaN in the initial growth stage 期刊论文 journal of electronic materials, 2001, 卷号: 30, 期号: 8, 页码: 977-979 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：155/29  |  提交时间：2010/08/12 GaN  indium doping  initial growth stage  morphology  optical transmission  photoluminescence  VAPOR-PHASE EPITAXY  BUFFER LAYER  FILMS  SAPPHIRE  DEPOSITION   Growth of GaN layers on GaAs and GaP (111) and (001) substrates by molecular beam epitaxy 期刊论文 compound semiconductors 1996, 1997, 期号: 155, 页码: 259-262 Cheng TS; Foxon CT; Ren GB; Jeffs NJ; Orton JW; Novikov SV; Xin Y; Brown PD; Humphreys CJ; Halliwell M 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2010/11/17 LIGHT-EMITTING-DIODES  GALLIUM NITRIDE