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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Epitaxial growth and characterization of SiC on C-plane sapphire substrates by ammonia nitridation 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 249, 期号: 1-2, 页码: 1-8 Luo MC; Li JM; Wang QM; Sun GS; Wang L; Li GR; Zeng YP; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/08/12 infrared reflectivity  Raman  sapphire substrate  X-ray diffraction  chemical vapor deposition  SiC  GAN  FILMS   Epitaxial growth of SiC on complex substrates 会议论文 11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000 Sun GS; Li JM; Luo MC; Zhu SR; Wang L; Zhang FF; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/15 optical microscopy  X-ray diffraction  molecular beam epitaxy  semiconducting silicon compounds  SAPPHIRE  DEPOSITION  FILMS   Epitaxial growth of SiC on complex substrates 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 811-815 Sun GS; Li JM; Luo MC; Zhu SR; Wang L; Zhang FF; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：95/9  |  提交时间：2010/08/12 optical microscopy  X-ray diffraction  molecular beam epitaxy  semiconducting silicon compounds  SAPPHIRE  DEPOSITION  FILMS