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科研机构
半导体研究所 [6]
内容类型
期刊论文 [4]
会议论文 [2]
发表日期
2008 [1]
2002 [1]
2000 [2]
1999 [1]
1997 [1]
学科主题
半导体材料 [6]
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学科主题:半导体材料
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Experimental investigation of slow light phenomenon in photonic crystal waveguide line defect laser
会议论文
international workshop on metamaterials, nanjing, peoples r china, nov 09-12, 2008
Xing MX
;
Ren G
;
Chen W
;
Zhou WJ
;
Wang HL
;
Chen LH
;
Zheng WH
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2010/03/09
MODE
Magnetic property and interlayer segregation in spin valve metal multilayers
期刊论文
science in china series e-technological sciences, 2002, 卷号: 45, 期号: 2, 页码: 140-145
Yu GH
;
Li MH
;
Zhu FW
;
Chai CL
;
Jiang HW
;
Lai WY
收藏
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浏览/下载:124/19
  |  
提交时间:2010/08/12
NiFe/FeMn
NiFe/Cu/NiFe/FeMn
interlayer segregation
exchange coupling field H-ex
X-ray photoelectron spectroscopy( XPS)
UNIDIRECTIONAL ANISOTROPY
EXCHANGE BIAS
FILMS
BILAYERS
LAYERS
DEPENDENCE
INTERFACES
FIELD
MODEL
Hydrogen-dependent lattice dilation in GaN
期刊论文
semiconductor science and technology, 2000, 卷号: 15, 期号: 6, 页码: 619-621
Zhang JP
;
Wang XL
;
Sun DZ
;
Kong MY
收藏
  |  
浏览/下载:35/0
  |  
提交时间:2010/08/12
OPTICAL-PROPERTIES
GALLIUM NITRIDE
SAPPHIRE
EPILAYERS
STRESS
SEMICONDUCTORS
ELECTRONS
SILICON
STRAIN
FILMS
Initial stages of GaN/GaAs (100) growth by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of electronic materials, 2000, 卷号: 29, 期号: 2, 页码: 177-182
作者:
Zhao DG
收藏
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浏览/下载:42/0
  |  
提交时间:2010/08/12
cubic GaN
hexagonal GaN
buffer layer
AFM
RHEED
CUBIC GAN
FILMS
GAAS
DEPENDENCE
NITRIDE
LAYERS
Preparation and characterization of erbium doped sol-gel silica glasses
会议论文
conference on rare-earth-doped materials and devices iii, san jose, ca, jan 27-28, 1999
Lei HB
;
Yang QQ
;
Ou HY
;
Chen BW
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Xie DT
;
Wu JG
;
Xu DF
;
Xu GX
收藏
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浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2010/10/29
Er-doped silica glass
sol-gel process
photoluminescence
PLANAR WAVE-GUIDES
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
CRYSTAL SILICON
IMPLANTED SI
LUMINESCENCE
ELECTROLUMINESCENCE
FABRICATION
IMPURITIES
FILMS
IONS
Ge composition saturation behavior during low-temperature Si1-xGex growth by disilane and solid Ge molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 1997, 卷号: 181, 期号: 4, 页码: 441-445
Liu JP
;
Liu XF
;
Li JP
;
Sun DZ
;
Kong MY
收藏
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浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2010/11/17
Si1-xGex alloys
low-temperature epitaxy
composition dependence
growth kinetics
GAS-SOURCE MBE
SI2H6
SEGREGATION
DEPENDENCE
KINETICS
FILMS
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