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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Raman scattering detection of stacking faults in free-standing cubic-SiC epilayer 期刊论文 chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 10, 页码: 2834-2837 Liu XF (Liu Xing-Fang); Sun GS (Sun Guo-Sheng); Li JM (Li Jin-Min); Zhao YM (Zhao Yong-Mei); Li JY (Li Jia-Ye); Wang L (Wang Lei); Zhao WS (Zhao Wan-Shun); Zeng YP (Zeng Yi-Ping) 收藏  |  浏览/下载：75/0  |  提交时间：2010/04/11 SPECTROSCOPY  GROWTH  POLYTYPES  SILICON   The growth of Si/SiGe/Si structures for heterojunction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 457-460 Gao F; Huang DD; Li JP; Lin YX; Kong MY; Li JM; Zeng YP; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：89/0  |  提交时间：2010/08/12 GSMBE  SiGe alloy  doping  SIMS  HBT  current gain  SI   A study of the interface of CeO2/Si heterostructure grown by ion beam deposition 期刊论文 vacuum, 1998, 卷号: 51, 期号: 3, 页码: 397-401 Wu ZL; Huang DD; Yang XZ 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/08/12 X-RAY PHOTOELECTRON  EPITAXIAL-GROWTH  SILICON  SPECTROSCOPY  SURFACES  SI(111)  OXIDES  LAYERS  SI   TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPY STUDY OF N+-IMPLANTED SILICON ON INSULATOR BY ENERGY-FILTERED IMAGING 期刊论文 journal of applied physics, 1991, 卷号: 70, 期号: 3, 页码: 1850-1852 DUAN XF; DU AY; CHU YM 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/15 ON-INSULATOR  NITROGEN  SPECTROSCOPY  LAYERS