×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [11]
内容类型
期刊论文 [11]
发表日期
2011 [1]
2010 [2]
2007 [1]
2006 [2]
2005 [1]
2002 [2]
更多...
学科主题
半导体材料 [11]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共11条,第1-10条
帮助
限定条件
学科主题:半导体材料
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane GaN revealed by selective etching
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 141-145
作者:
Duan RF
收藏
  |  
浏览/下载:80/4
  |  
提交时间:2011/07/05
CL
PL
Stacking fault
HVPE
GaN
Nonpolar
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
ACCEPTOR PAIR EMISSION
PHASE EPITAXY
GROWN GAN
SEMICONDUCTORS
SAPPHIRE
FILMS
NITRIDE
Fabrication and luminescence characterization of two-dimensional GaAs-based photonic crystal nanocavities
期刊论文
acta physica sinica, 2010, 卷号: 59, 期号: 10, 页码: 7073-7077
Peng YS (Peng Yin-Sheng)
;
Ye XL (Ye Xiao-Ling)
;
Xu B (Xu Bo)
;
Niu JB (Niu Jie-Bin)
;
Jia R (Jia Rui)
;
Wang ZG (Wang Zhan-Guo)
;
Liang S (Liang Song)
;
Yang XH (Yang Xiao-Hong)
收藏
  |  
浏览/下载:30/0
  |  
提交时间:2010/11/14
photonic crystal nanocavity
Electrical bistability and negative differential resistance in diodes based on silver nanoparticle-poly(N-vinylcarbazole) composites
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 9, 页码: art. no. 094320
Tang AW (Tang Aiwei)
;
Qu SC (Qu Shengchun)
;
Hou YB (Hou Yanbing)
;
Teng F (Teng Feng)
;
Tan HR (Tan Hairen)
;
Liu J (Liu Jie)
;
Zhang XW (Zhang Xingwang)
;
Wang YS (Wang Yongsheng)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
收藏
  |  
浏览/下载:28/0
  |  
提交时间:2010/12/12
THIN-FILM
OPTICAL-PROPERTIES
RAMAN-SCATTERING
MEMORY DEVICES
NANOPARTICLES
NANOCRYSTALS
MOLECULE
CLUSTERS
Metamorphic InGaAs quantum wells for light emission at 1.3-1.6 mu m
期刊论文
thin solid films, 2007, 卷号: 515, 期号: 10, 页码: 4348-4351
Wang SM
;
Tangring I
;
Gu QF
;
Sadeghi M
;
Larsson A
;
Wang XD
;
Ma CH
;
Buyanova IA
;
Chen WM
收藏
  |  
浏览/下载:116/0
  |  
提交时间:2010/03/29
metamorphic
Porous ZnAl2O4 spinel nanorods doped with Eu3+: synthesis and photoluminescence
期刊论文
nanotechnology, 2006, 卷号: 17, 期号: 12, 页码: 2982-2987
Cheng BC
;
Qu SC
;
Zhou HY
;
Wang ZG
收藏
  |  
浏览/下载:118/0
  |  
提交时间:2010/04/11
SPRAY-PYROLYSIS TECHNIQUE
SOL-GEL PROCESS
ZINC ALUMINATE
OPTICAL-PROPERTIES
CATHODOLUMINESCENT CHARACTERISTICS
HYDROTHERMAL SYNTHESIS
NANOCRYSTALLINE
COMBUSTION
SPECTRA
METHANE
Photoluminescence from C+ ion-implanted and electrochemical etched Si layers
期刊论文
applied surface science, 2006, 卷号: 252, 期号: 24, 页码: 8424-8427
Shi LW (Shi Liwei)
;
Wang Q (Wang Qiang)
;
Li YG (Li Yuguo)
;
Xue CS (Xue Chengshan)
;
Zhuang HZ (Zhuang Huizhao)
收藏
  |  
浏览/下载:34/0
  |  
提交时间:2010/04/11
ion implantation
annealing
chemical etching
photoluminescence
POROUS SILICON
LUMINESCENCE
Photoluminescence characteristics of InP annealed in phosphorus and iron phosphide ambiences
期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2005, 卷号: 8, 期号: 4, 页码: 531-535
Zhao, YW
;
Dong, HW
;
Li, JM
;
Ling, LY
收藏
  |  
浏览/下载:38/11
  |  
提交时间:2010/03/17
indium phosphide
Study of GaN thin films grown on vicinal SiC (0001) substrates by molecular beam epitaxy
期刊论文
semiconductor science and technology, 2002, 卷号: 17, 期号: 9, 页码: 957-960
Lu LW
;
Yan H
;
Yang CL
;
Xie MH
;
Wang ZG
;
Wang J
;
Ge WK
收藏
  |  
浏览/下载:51/0
  |  
提交时间:2010/08/12
PHOTOLUMINESCENCE
ENERGY
Influence of combined InAlAs and InGaAs strain-reducing laser on luminescence properties of InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 2-3, 页码: 354-358
作者:
Xu B
;
Jiang DS
;
Wang ZG
收藏
  |  
浏览/下载:84/7
  |  
提交时间:2010/08/12
nanostructures
molecular beam epitaxy
semiconductor III-V materials
laser diodes
1.3 MU-M
CONTINUOUS-WAVE OPERATION
TEMPERATURE-DEPENDENCE
LASING CHARACTERISTICS
1.3-MU-M
PHOTOLUMINESCENCE
GAIN
The growth of an AlGaN/GaN modulation-doped heterostructure by NH3 source molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 1998, 卷号: 192, 期号: 1-2, 页码: 93-96
Zhang JP
;
Sun DZ
;
Li XB
;
Wang XL
;
Fu RH
;
Kong MY
收藏
  |  
浏览/下载:29/0
  |  
提交时间:2010/08/12
GaN
2DEG
MD heterostructure
MBE
photoluminescence
GAN
LUMINESCENCE
PLASMA
GALLIUM NITRIDE
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace