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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2010 [1]
1996 [2]
学科主题
半导体材料 [3]
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学科主题:半导体材料
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Catalytic Activation of Mg-Doped GaN by Hydrogen Desorption Using Different Metal Thin Layers
期刊论文
japanese journal of applied physics, 2010, 卷号: 49, 期号: 10, 页码: art. no. 100201
Wei TB (Wei Tongbo)
;
Wang JX (Wang Junxi)
;
Liu NX (Liu Naixin)
;
Lu HX (Lu Hongxi)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
;
Wang GH (Wang Guohong)
;
Li JM (Li Jinmin)
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提交时间:2010/11/14
LOW-TEMPERATURE ACTIVATION
FILMS
Microstructure studies of PdGe/Ge ohmic contacts to n-type GaAs formed by rapid thermal annealing
期刊论文
applied surface science, 1996, 卷号: 100, 期号: 0, 页码: 530-533
Chen WD
;
Xie XL
;
Cui YD
;
Chen CH
;
Hsu CC
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/17
GE
A new structure of In-based ohmic contacts to n-type GaAs
期刊论文
applied physics a-materials science & processing, 1996, 卷号: 62, 期号: 3, 页码: 241-245
Ding SA
;
Hsu CC
收藏
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提交时间:2010/11/17
MICROSTRUCTURE
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