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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Stress and resistivity controls on in situ boron doped LPCVD polysilicon films for high-Q MEMS applications 期刊论文 半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 8, 页码: 34-38 Xie Jing; Liu Yunfei; Yang Jinling; Tang Longjuan; Yang Fuhua 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2010/11/23 Influence of different interlayers on growth mode and properties of InN by MOVPE 期刊论文 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 1, 页码: 238-241 Zhang, RQ; Liu, XL; Kang, TT; Hu, WG; Yang, SY; Jiao, CM; Zhu, QS 收藏  |  浏览/下载：52/3  |  提交时间：2010/03/08 DEFECT STRUCTURE  EPITAXIAL GAN  BAND-GAP   Crack control in GaN grown on silicon (111) using In doped low-temperature AlGaN interlayer by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 optical materials, 2006, 卷号: 28, 期号: 10, 页码: 1227-1231 Wu JJ (Wu Jiejun); Han XX (Han Xiuxun); Li JM (Li Jiemin); Wei HY (Wei Hongyuan); Cong GW (Cong Guangwei); Liu XL (Liu Xianglin); Zhu QS (Zhu Qinsheng); Wang ZG (Wang Zhanguo); Jia QJ (Jia Quanjie); Guo LP (Guo Liping); Hu TD (Hu Tiandou); Wang HH (Wang Huanhua) 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/04/11 in doping  cracks  Si(111) substrate  LT-AlGaN interlayer  metalorganic chemical vapor deposition  GaN  PHASE EPITAXY  INDIUM-SURFACTANT  OPTICAL-PROPERTIES  SI(111)  STRESS  FILMS   Some properties of gallium nitride films grown on (0001) oriented sapphire substrates by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 1997, 卷号: 180, 期号: 1, 页码: 27-33 Yoon SF; Li XB; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/17 LIGHT-EMITTING DIODES  RAMAN-SCATTERING  TEMPERATURE