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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effects of silicon incorporation on composition, structure and electric conductivity of cubic boron nitride thin films 期刊论文 diamond and related materials, 2010, 卷号: 19, 期号: 11, 页码: 1371-1376 Ying J (Ying J.); Zhang XW (Zhang X. W.); Fan YM (Fan Y. M.); Tan HR (Tan H. R.); Yin ZG (Yin Z. G.) 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/12/28 Cubic boron nitride  Doping  Ion beam assisted deposition  X-ray photoelectron spectroscopy  RAY PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY  VAPOR-DEPOSITION  SI  NUCLEATION  GROWTH   Fabrication of novel double-hetero-epitaxial SOT structure Si/gamma-Al2O3/Si 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 247, 期号: 3-4, 页码: 255-260 Tan LW; Wang QY; Wang J; Yu YH; Liu ZL; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/08/12 heteroepitaxial growth  gamma-Al2O3  silicon  silicon on insulator  FILMS  SI  DEPOSITION  AL2O3   GdxSi grown with mass-analyzed low energy dual ion beam epitaxy technique 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 242, 期号: 3-4, 页码: 389-394 Zhou JP; Chen NF; Zhang FQ; Song SL; Chai CL; Yang SY; Liu ZK; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/08/12 Auger electron spectroscopy  X-ray diffraction  X-ray photoelectron spectroscopy  ion beam epitaxy  semiconducting gadolinium silicide  SEMICONDUCTING SILICIDES  MAGNETIC SEMICONDUCTORS  TRANSITION  INSULATOR  SILICON  FILMS   Heteroepitaxial growth and annealing of gamma-Al2O3 thin films on silicon 会议论文 symposium on silicon-based heterostructure materials held at the 8th iumrs international conference on electronic materials (iumrs-icem2002), xian, peoples r china, jun 10-14, 2002 Tan LW; Wang J; Wang QY; Yu YH; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/15 EPITAXIAL-GROWTH  AL2O3  SI   JFET SOS devices: Processing and gamma radiation effects 会议论文 5th international conference on solid-state and integrated circuit technology, beijing, peoples r china, oct 21-23, 1998 作者:  Yu F 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/10/29 SILICON   INVESTIGATION OF GAAS/SI MATERIAL BY X-RAY DOUBLE-CRYSTAL DIFFRACTION 期刊论文 journal of applied physics, 1991, 卷号: 70, 期号: 8, 页码: 4172-4175 LI CR; MAI ZH; CUI SF; ZHOU JM; WANG YT 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/11/15 CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION  SOLAR-CELL APPLICATIONS  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  SI  HETEROSTRUCTURES  SUPERLATTICES