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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 An internally-matched GaN HEMTs device with 45.2 W at 8 GHz for X-band application 期刊论文 solid-state electronics, 2009, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 332-335 作者:  Zhang ML;  Hou QF 收藏  |  浏览/下载：129/30  |  提交时间：2010/03/08 AlGaN/AlN/GaN  HEMT  MOCVD  SiC substrate  Power device   Investigation of Mn-doped Si films prepared by magnetron cosputtering 期刊论文 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 291, 期号: 1, 页码: 239-242 作者:  Yin ZG 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/04/11 Mn doping  magnetron sputtering  MnxSi1-x  diluted magnetic  THIN-FILMS  SPIN-PHOTONICS  SEMICONDUCTORS  GROWTH  FERROMAGNETISM  SPINTRONICS   Structure characteristics of InGaN quantum dots fabricated by passivation and low temperature method 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 252, 期号: 1-3, 页码: 19-25 Qu BZ; Chen Z; Lu DC; Han P; Liu XG; Wang XH; Wang D; Zhu QS; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/08/12 nanostructures  metalorganic chemical vapor deposition  nitrides  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  SIZE DISTRIBUTION  GROWTH  GAAS  DEPENDENCE  EMISSION  NUMBER   Structural anisotropy and optical properties of InxGa1-xAs quantum dots on GaAs(001) 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 1-2, 页码: 55-60 Lin F; Wu J; Jiang WH; Cui H; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：102/5  |  提交时间：2010/08/12 low dimensional structures  molecular beam epitaxy  semiconducting III-V materials  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAAS  GROWTH  PHOTOLUMINESCENCE  SURFACES  ARRAYS  LASER   Electronic characteristics of InAs/GaAs self-assembled quantum dots by deep level transient spectroscopy 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 208, 期号: 1-4, 页码: 107-112 Wang HL; Ning D; Zhu HJ; Chen F; Wang H; Wang XD; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/08/12 self-assembled quantum dots  InAs/GaAs  DLTS  PL  activation energy  capture barrier  ENERGY-LEVELS  CARRIER RELAXATION  GROWTH