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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Improved III-nitrides based light-emitting diodes anti-electrostatic discharge capacity with an AlGaN/GaN stack insert layer 期刊论文 ieee international conference on group iv photonics gfp, 2011, 卷号: 32, 期号: 11, 页码: 114007 Li, Zhicong; Li, Panpan; Wang, Bing; Li, Hongjian; Liang, Meng; Yao, Ran; Li, Jing; Deng, Yuanming; Yi, Xiaoyan; Wang, Guohong; Li, Jinmin 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2012/06/14 Diodes  Electrostatic devices  Electrostatic discharge  Gallium alloys  Gallium nitride  Light emission   Improvement of the efficiency droop of GaN-LEDs using an AlGaN/GaN superlattice insertion layer 期刊论文 journal of semiconductors, 2011, 卷号: 32, 期号: 11, 页码: 114006 Ji, Panfeng; Liu, Naixin; Wei, Tongbo; Liu, Zhe; Lu, Hongxi; Wang, Junxi; Li, Jinmin 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/06/14 Efficiency  Electrostatic devices  Electrostatic discharge  Superlattices  Voltage control