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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Reversibly tunable coupled and decoupled super absorbing structures 期刊论文 applied physics letters, 2016, 卷号: 108, 期号: 9, 页码: 091105 Nan Zhang; Ziye Dong; Dengxin Ji; Haomin Song; Xie Zeng; Zhejun Liu; Suhua Jiang; Yun Xu; Ayrton Bernussi; Wei Li; Qiaoqiang Gan 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2017/03/16 Depth distribution of the strain in the GaN layer with low-temperature AlN interlayer on Si(111) substrate studied by Rutherford backscattering/channeling 期刊论文 applied physics letters, 2004, 卷号: 85, 期号: 23, 页码: 5562-5564 Lu, Y; Cong, GW; Liu, XL; Lu, DC; Wang, ZG; Wu, MF 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/03/17 STRESS   Effect of a low-temperature thin buffer layer on the strain accommodation of In0.25Ga0.75As grown on a GaAs(001) substrate 期刊论文 semiconductor science and technology, 2003, 卷号: 18, 期号: 11, 页码: 955-959 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：73/0  |  提交时间：2010/08/12 RELAXATION  SI  HETEROSTRUCTURES  KINETICS   Optical properties of InGaAs quantum dots formed on InAlAs wetting layer 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 224, 期号: 1-2, 页码: 41-46 作者:  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：77/2  |  提交时间：2010/08/12 nanostructures  molecular beam epitaxy  semiconducting III-V materials  ELECTRON-PHONON INTERACTIONS  TEMPERATURE-DEPENDENCE  SEMICONDUCTOR NANOCRYSTALS  CARRIER TRANSFER  INAS  GAAS  LASERS  ISLANDS  GROWTH  GAIN