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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A simple method of extracting the polarization charge density in the AlGaN/GaN heterostructure from current-voltage and capacitance-voltage characteristics 期刊论文 chinese physics b, 2012, 卷号: 21, 期号: 9, 页码: 097104 Lu YJ (Lu Yuan-Jie); Lin ZJ (Lin Zhao-Jun); Yu YX (Yu Ying-Xia); Meng LG (Meng Ling-Guo); Cao ZF (Cao Zhi-Fang); Luan CB (Luan Chong-Biao); Wang ZG (Wang Zhan-Guo) 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2013/04/02 A simple method of extracting the polarization charge density in the AlGaN/GaN heterostructure from current-voltage and capacitance-voltage characteristics 期刊论文 chinese physics b, 2012, 卷号: 21, 期号: 9, 页码: 16741056 Lü, Yuan-Jie; Lin, Zhao-Jun; Yu, Ying-Xia; Meng, Ling-Guo; Cao, Zhi-Fang; Luan, Chong-Biao; Wang, Zhan-Guo 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2013/05/07 Fabrication of an AlAs/In0.53Ga0.47As/InAs Resonant Tunneling Diode on InP Substrate for High-Speed Circuit Applications 期刊论文 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 6, 页码: 959-962 作者:  Zhang Yang 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/23 Nanoelectronic devices-resonant tunnelling diodes grown on InP substrates by molecular beam epitaxy with peak to valley current ratio of 17 at room temperature 期刊论文 chinese physics, 2006, 卷号: 15, 期号: 6, 页码: 1335-1338 作者:  Zhang Y 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/04/11 resonant tunnelling diode  InP substrate  molecular beam epitaxy  high resolution transmission electron microscope  CURRENT-VOLTAGE CHARACTERISTICS  INTRINSIC BISTABILITY  CIRCUIT   Homoepitaxial Growth of 4H-SiC and Ti/4H-SiC SBDs 期刊论文 人工晶体学报, 2005, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 1006-1010 作者:  NING Jin;  LIU Xingfang 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/23 High Temperature Characteristics of 3C-SiC/Si Heterojunction Diodes Grown by LPCVD 期刊论文 半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: 1091-1096 Zhang Yongxing; Sun Guosheng; Wang Lei; Zhao Wanshun; Gao Xin; Zeng Yiping; Li Jinmin; Li Siyuan 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/23