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科研机构
半导体研究所 [10]
内容类型
期刊论文 [9]
会议论文 [1]
发表日期
2010 [2]
2009 [1]
2008 [1]
2005 [1]
2000 [3]
1998 [1]
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学科主题
半导体材料 [10]
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学科主题:半导体材料
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80
85
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Impact of symmetrized and Burt-Foreman Hamiltonians on spurious solutions and energy levels of InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 8, 页码: art. no. 088102
Gu YX (Gu Yong-Xian)
;
Yang T (Yang Tao)
;
Ji HM (Ji Hai-Ming)
;
Xu PF (Xu Peng-Fei)
;
Wang ZG (Wang Zhan-Guo)
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浏览/下载:140/24
  |  
提交时间:2010/09/07
quantum dot
symmetrized Hamiltonian
Burt-Foreman Hamiltonian
finite element method
spurious solutions
EFFECTIVE-MASS APPROXIMATION
P THEORY
Cluster scattering in two-dimensional electron gas investigated by Born approximation and partial-wave methods
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2010, 卷号: 43, 期号: 1, 页码: 543-546
Li ZW
;
Xu XQ
;
Wang J
;
Liu JM
;
Liu XL
;
Yang SY
;
Zhu QS
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:67/8
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提交时间:2011/07/05
IONIZED-IMPURITY-SCATTERING
COMPOSITIONAL INHOMOGENEITY
PHASE-SEPARATION
QUANTUM-WELLS
ALLOY
CATHODOLUMINESCENCE
HETEROSTRUCTURES
SEMICONDUCTORS
TRANSPORT
MOBILITY
Electric-tunable magneto resistance effect in a two-dimensional electron gas modulated by hybrid magnetic-electric barrier nanostructure
期刊论文
physics letters a, 2009, 卷号: 373, 期号: 22, 页码: 1983-1987
作者:
Zhang XW
;
Wang Y
;
Yin ZG
收藏
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浏览/下载:125/57
  |  
提交时间:2010/03/08
Magnetic-electric barrier
Ballistic transport
Magnetoresistance
Electronic structures of wurtzite ZnO, BeO, MgO and p-type doping in Zn1-xYxO (Y = Mg, Be)
期刊论文
computational materials science, 2008, 卷号: 44, 期号: 1, 页码: 72-78
Xu, Q
;
Zhang, XW
;
Fan, WJ
;
Li, SS
;
Xia, JB
收藏
  |  
浏览/下载:45/0
  |  
提交时间:2010/03/08
Density functional theory
Electronic structure
Alloy
Doping
In-situ resistivity measurement of ZnS in diamond anvil cell under high pressure
期刊论文
chinese physics letters, 2005, 卷号: 22, 期号: 4, 页码: 927-930
Han, YH
;
Luo, JF
;
Hao, AM
;
Gao, CX
;
Xie, HS
;
Qu, SC
;
Liu, HW
;
Zou, GT
收藏
  |  
浏览/下载:36/0
  |  
提交时间:2010/03/17
SUPERCONDUCTIVITY
Hydrogen-dependent lattice dilation in GaN
期刊论文
semiconductor science and technology, 2000, 卷号: 15, 期号: 6, 页码: 619-621
Zhang JP
;
Wang XL
;
Sun DZ
;
Kong MY
收藏
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2010/08/12
OPTICAL-PROPERTIES
GALLIUM NITRIDE
SAPPHIRE
EPILAYERS
STRESS
SEMICONDUCTORS
ELECTRONS
SILICON
STRAIN
FILMS
The fabrication of thick SiO2 layer by anodization
会议论文
international-union-of-materials-research-societies international conference on advanced materials (iumrs-icam 99), beijing, peoples r china, jun 13-18, 1999
Ou HY
;
Yang QQ
;
Lei HB
;
Wang QM
;
Hu XW
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/11/15
thick SiO2 layer
porous silicon
SiO2/Si waveguide device
WAVE-GUIDES
SILICON
The fabrication of thick SiO2 layer by anodization
期刊论文
optical materials, 2000, 卷号: 14, 期号: 3, 页码: 271-275
Ou HY
;
Yang QQ
;
Lei HB
;
Wang QM
;
Hu XW
收藏
  |  
浏览/下载:39/0
  |  
提交时间:2010/08/12
thick SiO2 layer
porous silicon
SiO2/Si waveguide device
WAVE-GUIDES
SILICON
Structural characterization of SiGe/Si single wells grown by disilane and solid-Ge molecular beam epitaxy with varied disilane cracking temperature
期刊论文
journal of crystal growth, 1998, 卷号: 194, 期号: 3-4, 页码: 426-429
Liu JP
;
Kong MY
;
Huang DD
;
Li JP
;
Sun DZ
收藏
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浏览/下载:30/0
  |  
提交时间:2010/08/12
X-ray diffraction
SiGe/Si
disilane cracking
dynamic simulation
PHOTOLUMINESCENCE
SILICON
LAYERS
SI2H6
DISORDERED SUPERLATTICES
The structures and transformations on Si(113) surface
期刊论文
applied surface science, 1997, 卷号: 120, 期号: 0, 页码: 94-98
Feng KA
;
Mu XM
;
Lin ZD
;
Xing YR
收藏
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浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2010/11/17
ATOMIC-STRUCTURE
RECONSTRUCTION
DIAMOND
SI
SILICON
HYDROGEN
SI(100)
LEED
STM
GE
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