QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Characterization of Thick GaN Films Directly Grown on Wet-Etching Patterned Sapphire by HVPE 期刊论文 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: art. no. 096801 作者:  Yang JK;  Wei TB;  Duan RF 收藏  |  浏览/下载：73/3  |  提交时间：2010/03/08 VAPOR-PHASE EPITAXY  DISLOCATIONS  SUBSTRATE  LAYER   Influences of reactor pressure of GaN buffer layers on morphological evolution of GaN grown by MOCVD 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 256, 期号: 3-4, 页码: 248-253 作者:  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：293/3  |  提交时间：2010/08/12 in situ laser reflectometry  lateral overgrowths  surface morphology  metalorganic chemical vapor deposition  GaN  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  LIGHT-EMITTING-DIODES  SAPPHIRE SUBSTRATE  NUCLEATION LAYERS  QUALITY  TEMPERATURE   Nanodiamond formation by hot-filament chemical vapor deposition on carbon ions bombarded Si 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 236, 期号: 1-3, 页码: 85-89 Liao MY; Meng XM; Zhou XT; Hu JQ; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：145/8  |  提交时间：2010/08/12 nucleation  chemical vapor deposition processes  diamond  nanomaterials  DIAMOND THIN-FILMS  AMORPHOUS-CARBON  PLASMAS  SYSTEM  FIELD   Initial stages of GaN/GaAs (100) growth by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of electronic materials, 2000, 卷号: 29, 期号: 2, 页码: 177-182 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/08/12 cubic GaN  hexagonal GaN  buffer layer  AFM  RHEED  CUBIC GAN  FILMS  GAAS  DEPENDENCE  NITRIDE  LAYERS