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厚度对MOCVD生长InN薄膜位错特性与光电性质的影响 期刊论文
物理学报, 2009, 卷号: 58, 期号: 5, 页码: 3416-3420
作者:  刘斌;  陈涌海
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/23
VGF法生长的低位错掺Si-GaAs单晶的缺陷和性质 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 9, 页码: 1775-1778
于会永; 赵有文; 占荣; 高永亮
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/23
掺Sb的ZnO单晶的缺陷和性质研究 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 10, 页码: 1988-1991
作者:  张瑞
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/23
截止波长12μm的InAs0.04Sb0.96/GaAs的熔体外延生长及特性研究 期刊论文
光电子·激光, 2007, 卷号: 18, 期号: 1, 页码: 67-70
作者:  陈涌海
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/23
掺铒纳米晶硅和掺铒非晶纳米硅薄膜的发光性质 期刊论文
发光学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: 647-650
陈维德; 陈长勇; 卞留芳
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/23
缓冲层厚度对MOCVD法生长GaN外延薄膜性能的影响 期刊论文
人工晶体学报, 2005, 卷号: 34, 期号: 3, 页码: 466-470
作者:  韩修训;  黎大兵
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2010/11/23
蓝宝石衬底上单晶InN外延膜的RF-MBE生长 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: 1169-1172
作者:  肖红领;  韩勤
收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/11/23
Mn注入 n型 Ge单晶的特性研究 期刊论文
功能材料与器件学报, 2005, 卷号: 11, 期号: 1, 页码: 15-18
作者:  尹志岗
收藏  |  浏览/下载：129/16  |  提交时间：2010/11/23
掺杂InGaAs/InAlAs单量子阱中电子对称态和反对称态磁输运研究 期刊论文
红外与毫米波学报, 2004, 卷号: 23, 期号: 5, 页码: 329-332
仇志军; 桂永胜; 崔利杰; 曾一平; 黄志明; 疏小舟; 戴宁; 郭少令; 禇君浩
收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/11/23
低能离子束方法制备重掺杂Fe的Si:Fe固溶体 期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 8, 页码: 967-971
作者:  杨少延
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/23

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