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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 厚度对MOCVD生长InN薄膜位错特性与光电性质的影响 期刊论文 物理学报, 2009, 卷号: 58, 期号: 5, 页码: 3416-3420 作者:  刘斌;  陈涌海 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/23 C离子注入Si中Si-C合金的形成及其特征 期刊论文 半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 979 作者:  王玉田 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/23 预注入对Si_（1-x）C_x合金形成的影响 期刊论文 物理学报, 2001, 卷号: 50, 期号: 7, 页码: 1329 作者:  王玉田 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2010/11/23 C离子注入Si中Si_(1-x)C_x合金的形成及其稳定性 期刊论文 科学通报, 2000, 卷号: 45, 期号: 16, 页码: 1709 作者:  王玉田 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2010/11/23 Er~+注入单晶硅中非晶层晶化过程的TEM研究 期刊论文 半导体学报, 1990, 卷号: 11, 期号: 7, 页码: 561 严勇; 王培大; 胡梅生; 孙慧龄; 李齐; 冯端 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/11/23