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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [2]
学位论文 [1]
发表日期
2015 [1]
2008 [2]
学科主题
半导体材料 [3]
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学科主题:半导体材料
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VGF-Ge单晶衬底完整性、复合缺陷及其对多结电池性能的影响
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
曹可慰
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提交时间:2015/12/08
锗
单晶
垂直梯度凝固
多结电池
热施主
VGF法生长的低位错掺Si-GaAs单晶的缺陷和性质
期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 9, 页码: 1775-1778
于会永
;
赵有文
;
占荣
;
高永亮
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2010/11/23
高温退火处理提高半绝缘VGF-GaAs单晶的电学性能
期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 9, 页码: 1770-1774
占荣
;
赵有文
;
于会永
;
高永亮
;
惠峰
收藏
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提交时间:2010/11/23
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