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科研机构
半导体研究所 [2]
内容类型
成果 [2]
发表日期
1996 [1]
1992 [1]
学科主题
半导体材料 [2]
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学科主题:半导体材料
内容类型:成果
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ф2”和 ф3”非掺Si-GaAs单晶(片)研究
成果
院科技进步奖: 二等奖, 1996
林兰英
;
曹福
;
白玉珂
;
惠峰
;
卜俊鹏
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浏览/下载:57/0
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提交时间:2010/04/13
Si-GaAs
2”直径的半绝缘磷化铟单晶
成果
院科技进步奖: 三等奖, 1992
刘巽琅
;
叶式中
;
赵建群
;
焦景华
;
曹惠梅
收藏
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浏览/下载:35/0
  |  
提交时间:2010/04/13
磷化铟单晶
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