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科研机构
半导体研究所 [5]
内容类型
会议论文 [5]
发表日期
2004 [2]
2002 [1]
1998 [2]
学科主题
半导体材料 [5]
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学科主题:半导体材料
内容类型:会议论文
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Micro-fabricated Al0.3Ga0.7As pyramids for potential SPM applications
会议论文
13th international conference on semiconducting and insulating materials (simc xiii), beijing, peoples r china, sep 20-25, 2004
Sun, J
;
Hu, LZ
;
Sun, YC
;
Wang, ZY
收藏
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浏览/下载:59/0
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提交时间:2010/03/29
GROWTH
Hetero-epitaxial growth of ZnO films on silicon by low-pressure metal organic chemical vapor deposition
会议论文
7th international conference on solid-state and integrated circuits technology, beijing, peoples r china, oct 18-21, 2004
Wang, QY
;
Shen, WJ
;
Wang, J
;
Wang, JH
;
Zeng, YP
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:195/31
  |  
提交时间:2010/03/29
ULTRAVIOLET-LASER EMISSION
THIN-FILMS
ZINC-OXIDE
ROOM-TEMPERATURE
Characterization of defects and whole wafer uniformity of annealed undoped semi-insulating InP wafers
会议论文
9th international conference on defects: recognition, imaging and physics in semiconductors (drip ix), rimini, italy, sep 24-28, 2001
Zhao YW
;
Sun NF
;
Dong HW
;
Jiao JH
;
Zhao JQ
;
Sun TN
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2010/11/15
indium phosphide
semi-insulating
annealing
PICTS
photoluminescence
SEMIINSULATING INP
INDIUM-PHOSPHIDE
FE
PHOTOLUMINESCENCE
TEMPERATURE
Room-temperature continuous-wave lasing from InAs GaAs quantum dot laser grown by molecular beam epitaxy
会议论文
5th international conference on solid-state and integrated circuit technology, beijing, peoples r china, oct 21-23, 1998
作者:
Xu B
收藏
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浏览/下载:7/0
  |  
提交时间:2010/10/29
THRESHOLD
OPERATION
LAYER
Structural and optical changes in GaAs/InAs/GaAs structure induced by thermal annealing
会议论文
5th international conference on solid-state and integrated circuit technology, beijing, peoples r china, oct 21-23, 1998
Mo QW
;
Fan TW
;
Gong Q
;
Wu J
;
Wang ZG
;
Bai YQ
;
Zhang W
收藏
  |  
浏览/下载:25/0
  |  
提交时间:2010/10/29
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
COHERENT ISLANDS
GAAS
GROWTH
DOTS
DISLOCATIONS
TEMPERATURE
MECHANISMS
SI(001)
INGAAS
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