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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体器件     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Comprehensive thermal characterization using ruby R fluorescence lines of sapphire and GaNE(2)-high Raman mode from Raman spectra in high-power flip-chip InGaN/GaN LEDs 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 35, 页码: 355101 Cui M; Zhou TF; Wang MR; Huang J; Huang HJ; Zhang JP; Xu K; Yang H 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2012/02/06 LIGHT-EMITTING-DIODES  TEMPERATURE-MEASUREMENTS  GAN  SCATTERING  DEPENDENCE  JUNCTION  PHONONS  ALN   High Characteristic Temperature InGaAsP/InP Tunnel Injection Multiple-Quantum-Well Lasers 期刊论文 chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 11, 页码: art. no. 114201 Wang Y (Wang Yang); Qiu YP (Qiu Ying-Ping); Pan JQ (Pan Jiao-Qing); Zhao LJ (Zhao Ling-Juan); Zhu HL (Zhu Hong-Liang); Wang W (Wang Wei) 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2010/12/05 AUGER RECOMBINATION  THRESHOLD CURRENT  DEPENDENCE  DEVICE   GAAS/GAALAS GRADED INDEX SEPARATE CONFINEMENT SINGLE QUANTUM-WELL SINGLE-MODE WAVE-GUIDE ELECTROABSORPTION LIGHT-MODULATOR 期刊论文 iee proceedings-j optoelectronics, 1991, 卷号: 138, 期号: 5, 页码: 313-318 ZHU LD; XIONG FK; WANG CM; CHEN ZH; HSIE YL; FEAK GAB; BALLANTYNE JM 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/15 GAALAS SEMICONDUCTOR-LASERS  OPTICAL MODULATION  ULTIMATE LIMIT  ABSORPTION  HETEROSTRUCTURE  DEPENDENCE  DIODE